[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成栅极、源极、漏极和半导体层；

在所述源极、所述漏极和所述半导体层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成与所述漏极连通的像素电极；

在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层，其中，所述绝缘层具有子绝缘区域，所述子绝缘区域与至少部分所述像素电极相对，所述子绝缘区域靠近所述像素电极的一面与所述像素电极贴合，在所述子绝缘区域的延伸方向上所述子绝缘区域的厚度依次逐渐减小，以形成楔形结构改善色偏。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：

在所述钝化层和第一子像素电极上形成绝缘层；其中，所述像素电极包括所述第一子像素电极和与所述第一子像素电极相连的第二子像素电极，所述第一子像素电极朝向所述漏极，所述子绝缘区域与所述第一子像素电极或所述第二子像素电极相对。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：

在所述钝化层和所述像素电极上形成有机绝缘层；

采用掩膜版进行曝光和显影所述有机绝缘层，形成所述子绝缘区域，所述子绝缘区域朝向所述漏极的一侧至远离所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小，或者，所述子绝缘区域远离所述漏极的一侧至朝向所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用掩膜版进行曝光和显影形成所述子绝缘区域包括：

采用透过率渐变的掩膜版或采用条纹间距渐变的掩膜版进行曝光和显影所述有机绝缘层，形成所述子绝缘区域。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层和所述像素电极上形成绝缘层包括：

在所述钝化层和所述像素电极上形成无机绝缘膜；

在所述无机绝缘膜上涂覆光刻胶，形成光刻胶层，采用掩膜版进行曝光和显影，去除曝光区域的光刻胶层；

采用干刻工艺，灰化未曝光区域的所述光刻胶层，并刻蚀所述无机绝缘膜，形成具有所述子绝缘区域的无机绝缘层，所述子绝缘区域朝向所述漏极的一侧至远离所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小，或者，所述子绝缘区域远离所述漏极的一侧至朝向所述漏极的一侧的厚度依次逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用掩膜版进行曝光和显影，去除曝光区域的光刻胶层包括：

采用透过率渐变的掩膜版或采用条纹间距渐变的掩膜版进行曝光和显影，去除曝光区域的光刻胶层。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层上形成与所述漏极连通的像素电极包括：

在所述钝化层上形成透明导电层，并进行光刻和刻蚀，以使所述透明导电层形成所述像素电极，并使所述像素电极与所述漏极通过导电过孔连通。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括基板；

栅极、源极、漏极和半导体层，所述栅极、所述源极、所述漏极和所述半导体层设置在所述基板上；

钝化层，所述钝化层设置在所述源极、所述漏极和所述半导体层上；

像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上，且所述像素电极与所述漏极连通；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述钝化层和所述像素电极上，其中，所述绝缘层具有子绝缘区域，所述子绝缘区域与至少部分所述像素电极相对，所述子绝缘区域靠近所述像素电极的一面与所述像素电极贴合，在所述子绝缘区域的延伸方向上所述子绝缘区域的厚度依次逐渐减小，以形成楔形结构改善色偏。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括第一子像素电极和与所述第一子像素电极相连的第二子像素电极，所述第一子像素电极朝向所述漏极，所述子绝缘区域与所述第一子像素电极或所述第二子像素电极相对。

10.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、对侧基板以及位于阵列基板和对侧基板之间的液晶分子层，所述阵列基板为权利要求8或9所述的阵列基板。