[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

衬底；所述衬底上具有至少一条沟槽；

至少一条纳米线；所述纳米线嵌入所述沟槽内；所述沟槽具有至少一个槽壁，一条所述纳米线沿所述沟槽的一个所述槽壁延伸，且与所述沟槽的槽底相接触。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述纳米线的材料为半导体材料，

所述纳米线的拉曼半峰宽为，与所述纳米线的物质组分相同的单晶材料的拉曼半峰宽的1～2倍；

所述纳米线的峰位位于，与所述纳米线的物质组分相同的单晶材料的峰位之差的范围为0cm^-1～2cm^-1。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述纳米线的拉曼半峰宽为4.5±0.5cm^-1，所述纳米线的峰位为520.7±1cm^-1。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件，其特征在于，

每个所述沟槽内嵌入有两条所述纳米线；同一所述沟槽内的两条所述纳米线，分别沿所述沟槽相对的两个槽壁延伸。

5.根据权利要求1-4任一项所述电子器件，其特征在于，

所述衬底包括层叠设置的衬底本体和第一介质层，所述沟槽设置于所述第一介质层上，且所述沟槽的槽底为所述第一介质层；所述纳米线在靠近所述衬底本体的一侧与所述第一介质层相接触。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，

所述衬底本体靠近所述第一介质层的材料包括：聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷中的至少一种；

所述第一介质层包括氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层中的至少一层。

7.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

所述衬底包括层叠设置的衬底本体和第一介质层，所述沟槽设置于所述第一介质层上，且所述沟槽贯穿所述第一介质层；所述纳米线在靠近所述衬底本体的一侧与所述衬底本体相接触。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述衬底本体和所述第一介质层的材料相同。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述衬底本体的材料包括黄色聚酰亚胺、氮化硅或氧化硅中的至少一种。

10.根据权利要求1-9任一项所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件还包括：

第二介质层，位于所述纳米线远离所述衬底的一侧，且覆盖所述衬底和所述纳米线；所述第二介质层和所述衬底之间形成用于容纳所述纳米线的容纳腔。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其特征在于，在所述衬底包括层叠设置的衬底本体和第一介质层的情况下，所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同。

12.根据权利要求10或11所述的电子器件，其特征在于，所述纳米线的材料为半导体材料，所述纳米线的拉曼半峰宽为，与所述纳米线的物质组分相同的单晶材料的拉曼半峰宽的1～2倍；所述纳米线的峰位位于，与所述纳米线的物质组分相同的单晶材料的峰位之差的范围为0cm^-1～2cm^-1，所述电子器件还包括：

至少一个栅极，设置于所述第二介质层远离所述衬底的一侧表面；

源极和漏极，分别位于所述栅极的两侧，且与所述纳米线的一部分相接触。