[发明专利]氧化镓SBD的制备方法及结构

权利要求书

1.一种氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，包括：

提供一N+高浓度衬底，在所述N+高浓度衬底上生长一N-低浓度氧化镓外延层；

在所述N-低浓度氧化镓外延层上淀积第一掩膜层；

在所述第一掩膜层远离所述N-低浓度氧化镓外延层的一侧形成第二掩膜光刻图形，并制作第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层为介质掩膜，所述第二掩膜层为金属掩膜；

干法刻蚀未被所述第二掩膜层覆盖的第一掩膜层和预设厚度的N-低浓度氧化镓外延层，在所述N-低浓度氧化镓外延层上形成凹槽，去除第二掩膜层，并对所述凹槽进行湿法处理修复刻蚀损伤；

在所述凹槽上生长P型异质层，去除所述第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层的厚度大于所述P型异质层的厚度，具体的，所述第一掩膜层的厚度与所述预设厚度之和为所述P型异质层的厚度的2倍以上；

在所述P型异质层和所述N-低浓度氧化镓外延层上远离所述N+高浓度衬底的一侧制作阳极，在所述N+高浓度衬底上远离所述N-低浓度氧化镓外延层的一侧制作阴极。

2.如权利要求1所述的氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，所述在所述P型异质层和所述N-低浓度氧化镓外延层上远离所述N+高浓度衬底的一侧制作阳极之前，还包括在所述P型异质层上制备场板，所述场板位于所述阳极与所述P型异质层接触末端。

3.如权利要求1所述的氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜层步骤之后，还包括高温退火步骤。

4.如权利要求1所述的氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度比所述P型异质层的厚度大300nm。

5.如权利要求1所述的氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，所述N-低浓度氧化镓外延层的掺杂浓度沿其外延生长的方向逐渐减小。

6.一种氧化镓SBD结构，其特征在于，采用权利要求1至5任一种方法制备而成，包括：

N+高浓度衬底，所述N+高浓度衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

N-低浓度氧化镓外延层，形成在所述N+高浓度衬底第一表面上，所述N-低浓度氧化镓外延层上远离所述N+高浓度衬底一侧设有凹槽；

P型异质层，位于在所述凹槽内；

阳极，形成在所述P型异质层和所述N-低浓度氧化镓外延层上远离所述N+高浓度衬底的一侧；和

阴极，形成在所述N+高浓度衬底第二表面上；在所述阳极与所述P型异质层接触末端，还设有场板。

7.如权利要求6所述的氧化镓SBD结构，其特征在于，所述N-低浓度氧化镓外延层上间隔排列多个所述凹槽，多个所述凹槽内均设有所述P型异质层。