[发明专利]一种去耦双极化低频振子及嵌入式双频段阵列天线在审
申请号: | 202011380549.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112542682A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 丁灿;贺怡;魏庚明;郭英杰;吴中林;刘木林;岳彩龙 | 申请(专利权)人: | 广东通宇通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q1/12;H01Q21/08 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 逯雪峰 |
地址: | 528400 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去耦双 极化 低频 嵌入式 双频 阵列 天线 | ||
1.一种去耦双极化低频振子,包括双极化正交的四个振子辐射体,每个振子辐射体包括两个振子臂及一个巴伦,所述两个振子臂关于巴伦对称设置,所述巴伦包括并列分体排布的两个巴伦臂,两个巴伦臂顶端分别和与之对应的振子臂连接,底端共同连接一底座,其特征在于:每个振子臂均被截断为两个振子臂子单元,所述两个振子臂子单元间隔设置且两者之间连接有第一微带解耦电路板;每个巴伦臂被截断为两个巴伦臂子单元,所述两个巴伦臂子单元间隔设置且两者之间连接有第二微带解耦电路板;每个振子辐射体中间位置的两个振子臂子单元之间连接有一馈电片。
2.根据权利要求1所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述振子臂子单元和巴伦臂子单元的电尺寸均小于集成在同一反射器上的高频振子工作频段最高频点处对应的半波长。
3.根据权利要求2所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:每个振子辐射体上的四个振子臂子单元关于巴伦呈中心对称分布,每个振子辐射体上的四个巴伦臂子单元关于巴伦纵轴呈中心对称分布。
4.根据权利要求2所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述第一微带解耦电路板一侧印刷有微带解耦结构,另一侧紧贴截断后的两个振子臂子单元;所述第二微带解耦电路板一侧印刷有微带解耦结构,另一侧紧贴截断后的两个巴伦臂子单元。
5.根据权利要求4所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述微带解耦结构包括等效为电感L1和电容C1并联电路的蜿蜒线,以及位于蜿蜒线两侧的等效为串联电容C2的微带线。
6.根据权利要求5所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述蜿蜒线呈S形,通过对蜿蜒线进行参数设计以改变等效的电感L1和电容C1,使得感应电流在高频段内产生幅度最小值。
7.根据权利要求1所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述振子臂子单元、巴伦臂子单元、第一微带解耦电路板和第二微带解耦电路板均通过介质螺钉固定在介质支撑架上。
8.根据权利要求6所述的一种去耦双极化低频振子,其特征在于:所述介质支撑架包括一环形固定框和均布于固定框下方的四个支撑腿,每个振子辐射体的两个巴伦臂设于支撑腿的左右两侧,振子臂设于固定框的外周。
9.一种嵌入式双频段阵列天线,包括反射器、设于反射器上的低频阵列和高频阵列,所述低频阵列和高频阵列对应设置至少一个低频振子和至少一个高频振子,其特征在于:所述低频振子为权利要求1-8任一项所述的去耦双极化低频振子,所述低频振子内部嵌有一高频振子。
10.根据权利要求9所述的一种嵌入式双频段阵列天线,其特征在于:每相邻的两个低频振子之间设置有一高频振子,低频振子内部和外部的高频振子共同组成高频阵列。
11.根据权利要求10所述的一种嵌入式双频段阵列天线,其特征在于:每个低频阵列中的低频振子和每个高频阵列中的高频振子均以所工作频带中心频率波长的0.5-1倍等间距线性排列。
12.根据权利要求11所述的一种嵌入式双频段阵列天线,其特征在于:位于低频振子内部的高频振子的反射器置于底座上方,且位于低频振子内部和外部的高频振子的反射器与低频振子均不接触。
13.根据权利要求12所述的一种嵌入式双频段阵列天线,其特征在于:所述高频振子包括一个盒状反射器、两个相互垂直的介质支撑板和水平放置于介质支撑板上的一个介质板;所述介质支撑垂直设于盒状反射器上,介质支撑板双面印刷有微带巴伦结构,所述介质板上印刷有两个相互垂直的辐射体振子对。
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