[发明专利]芯片背装拼接设备及拼接方法在审

专利信息
申请号: 202011381239.X 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112490158A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 陈威;党景涛;艾博;许向阳 申请(专利权)人: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/50;H01L21/66
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 毕翔宇
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 拼接 设备 方法
【说明书】:

本申请涉及芯片拼装设备技术领域,尤其是涉及一种芯片背装拼接设备及拼接方法。芯片背装拼接设备包括工作台和位于工作台上的调平单元、拼装单元、识别单元和基版。基版与调平单元相连接,调平单元能够对基版进行支撑同时对基版的水平度进行调节。拼装单元包括吸附装置,基版开设有通孔,吸附装置能够通过通孔穿过基版,以对芯片的背面吸附固定,吸附装置下降能够将芯片放置于基版上以使芯片与基版进行拼装,且拼装单元能够带动芯片移动,以对芯片与基版之间的位置偏差进行补偿。识别单元能够辅助调平单元完成基版的找平,以及辅助拼装单元完成对基版与芯片之间偏差的补偿;从而高效精确地完成芯片与基版的拼接,并使芯片的表面不被污染。

技术领域

本申请涉及芯片拼装设备技术领域,尤其是涉及一种芯片背装拼接设备及拼接方法。

背景技术

多芯片的拼接使用被广泛应用于航空、航天和测量等领域,但由于受光刻最大芯片加工尺寸的限制,需要将多个芯片与基版进行拼装;但现有的拼接设备无法满足大面积基版、多芯片拼接要求,拼接精度差,且在拼接的过程中,会使芯片的正面受到污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片背装拼接设备及拼接方法,以实现芯片与基版的拼接,保证拼接精度,并使芯片不受污染。

本发明提供了一种芯片背装拼接设备,包括工作台和设置于所述工作台上的调平单元、拼装单元、识别单元和基版;所述基版与所述调平单元相连接,所述调平单元用于对所述基版的水平度进行调整;所述拼装单元位于所述基版的下方,所述拼装单元包括吸附装置;所述基版形成有通孔,所述吸附装置能够移动至所述通孔处,且所述吸附装置能够通过所述通孔穿过所述基版;所述吸附装置用于对芯片的背面进行吸附,并将所述芯片放置于所述基版的组装面上;所述识别单元用于对所述基版的水平度和所述芯片与所述基版的装配偏差进行检测。

进一步地,所述调平单元包括升降装置;所述升降装置的驱动端与所述基版相连接,以驱动所述基版升降;所述升降装置的数量为多个,多个所述升降装置沿所述基版的周向间隔分布。

进一步地,所述调平单元还包括万向调节装置;所述万向调节装置的数量为多个,多个所述万向调节装置与多个所述升降装置一一对应;所述基版通过所述万向调节装置与对应的所述升降装置相连接。

进一步地,所述拼装单元包括第一驱动机构,所述第一驱动机构包括第一驱动装置、第二驱动装置和第三驱动装置;所述第一驱动装置的驱动端与所述第二驱动装置相连接,所述第一驱动装置能够驱动所述第二驱动装置沿第一方向运动;所述第二驱动装置的驱动端与所述第三驱动装置相连接,所述第二驱动装置能够驱动所述第三驱动装置沿与所述第一方向垂直的第二方向运动,所述第三驱动装置的驱动端与所述吸附装置相连接;所述第一驱动装置和所述第二驱动装置用于将所述吸附装置移动至所述通孔的下方;所述第三驱动装置用于驱动所述吸附装置升降,以使所述吸附装置通过所述通孔穿过所述基版。

进一步地,所述第一驱动机构还包括旋转驱动装置;所述吸附装置通过所述旋转驱动装置与所述第三驱动装置相连接,所述旋转驱动装置用于驱动所述吸附装置绕竖直方向转动。

进一步地,所述识别单元包括第二驱动机构和视觉识别系统;所述驱动机构安装于所述工作台上,所述视觉识别系统位于所述基版的上方,且所述视觉识别系统与所述第二驱动机构的驱动端相连接,所述第二驱动机构能够驱动所述视觉识别系统移动。

进一步地,所述第二驱动机构为三轴线性滑台。

进一步地,所述通孔的数量为多个,多个所述通孔间隔分布于所述基版上。

进一步地,所述吸附装置上设有加热件。

本发明还提供了一种芯片背装拼接方法,包括以下步骤:

步骤100、将基版安装于调平单元上,通过识别单元识别所述基版的水平度,并通过所述调平单元对所述基版进行调平;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011381239.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top