[发明专利]LED封装体

权利要求书

1.一种LED封装体，其特征在于，包括：

封装基板，具有相对的上表面和下表面，其中，所述上表面包括图形化的金属层，所述金属层配置有固晶区和非固晶区；

LED芯片，设置在所述固晶区上；

封装层，设置在所述固晶区和非固晶区上，所述LED芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；所述封装层远离所述封装基板的一侧表面为所述封装层的上表面；

防脱部件，设置在所述非固晶区上，且所述防脱部件自所述封装层的上表面向下至少延伸至所述非固晶区的上表面上并固定住所述封装层；所述防脱部件包括搭接部和连接部，所述搭接部搭设在所述封装层的上表面上，所述连接部穿设所述封装层并至少延伸至所述非固晶区的上表面上。

2.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件呈T型；所述封装层位于所述非固晶区的部分配置有开口结构，所述防脱部件的连接部穿过所述开口结构并至少延伸至所述非固晶区的上表面上。

3.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部自所述封装层的上表面延伸至所述封装基板的部分侧壁。

4.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部自所述封装层的上表面延伸至所述封装基板的下表面。

5.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的宽度D₁不小于200μm。

6.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述连接部的宽度D₂不小于100μm。

7.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部与LED芯片的最小间距D₃不小于100μm。

8.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件呈倒L型，所述防脱部件设在所述封装层的外围。

9.根据权利要求8所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的宽度D₁不小于150μm。

10.根据权利要求8所述的LED封装体，其特征在于，所述连接部的宽度D₂不小于100μm。

11.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的上表面高于所述封装层位于非固晶区部分的上表面；所述搭接部的厚度介于150μm～550μm。

12.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的上表面与所述封装层位于非固晶区部分的上表面对齐，或所述搭接部的上表面低于所述封装层位于非固晶区部分的上表面。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的LED封装体，其特征在于，所述封装基板上的部分非固晶区被配置为台阶结构。

14.根据权利要求1～12中任一项所述的LED封装体，其特征在于，所述非固晶区具有凹槽，所述防脱部件的连接部延伸至所述凹槽内。

15.根据权利要求14所述的LED封装体，其特征在于，所述凹槽延伸至所述封装基板的上表面或所述封装基板的内部。

16.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件的制备材料包括金属、陶瓷或有机胶材。

17.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括粘接层，其设置于所述防脱部件的连接部与所述封装基板上的非固晶区之间，用于连接所述连接部与所述封装基板。