[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)将籽晶铺设在坩埚底部，再覆盖多晶硅料，得到装好的硅料；所述籽晶为从9寸提拉单晶圆棒上，旋转一定角度切割获得上表面为(100)晶向的方形单晶硅；所述籽晶和多晶硅料的质量比为1：(11～12)；

b)将步骤a)得到的装好的硅料依次进行定向凝固生长、退火和冷却，得到多晶硅锭；所述定向凝固生长的过程具体为：

b1)将装好硅料的坩埚置于上中下热场中进行加热；所述加热的上热场温度为1150℃，中热场温度为1100℃，下热场温度为1100℃，时间为280min；

b2)提高上中下热场温度使硅料进行熔化；所述熔化的上热场温度为1490℃～1550℃，中热场温度为1520℃，下热场温度为1200℃；

b3)经2880min缓慢降低至上热场温度为1395℃～1430℃，中热场温度为1410℃～1510℃，下热场温度为810℃～1050℃，进行长晶，得到多晶硅；

所述退火的过程具体为：

将定向凝固生长后的多晶硅进行第一次降温至上热场温度为1250℃，中热场温度为1200℃，下热场温度为1100℃，第一次降温的时间为150min；然后保温90min；再进行第二次降温至上热场温度为750℃，中热场温度为750℃，下热场温度为500℃，第二次降温的时间为240min，得到退火后的多晶硅；

所述冷却的过程具体为：

将退火后的多晶硅进行第三次降温至上热场温度为300℃，中热场温度为300℃，下热场温度为300℃，第三次降温的时间为8min；然后保温57min；再进行第四次降温至上热场温度为20℃，中热场温度为20℃，下热场温度为20℃，第四次降温的时间为550min，得到多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)之前还包括：

在所述坩埚内部底面和内壁均匀喷涂氮化硅涂层；所述氮化硅涂层中氮化硅的涂覆量为200g/m²～400g/m²。

3.一种多晶硅锭，其特征在于，采用权利要求1所述的制备方法制备得到。