[发明专利]毫米波阵列天线、壳体组件以及电子设备

权利要求书

1.一种毫米波阵列天线，其特征在于，所述毫米波阵列天线包括依次排布设置的多个天线单元，每个所述天线单元设有耦合部，至少一个所述天线单元的耦合部被配置为与相邻的另一天线单元的耦合部形成耦合电容。

2.根据权利要求1所述的毫米波阵列天线，其特征在于，每个所述天线单元包括辐射单元，所述耦合部设于所述辐射单元。

3.根据权利要求2所述的毫米波阵列天线，其特征在于，每个所述天线单元的耦合部为两个，两个所述耦合部包括第一耦合部以及第二耦合部；其中所述第一耦合部与所述第二耦合部分别位于所述天线单元相背离的两端。

4.根据权利要求3所述的毫米波阵列天线，其特征在于，多个所述天线单元包括第一天线单元以及第二天线单元，所述第一天线单元和所述第二天线单元并列相邻设置，所述第一天线单元的第一耦合部与所述第二天线单元的第二耦合部在不同平面相对间隔设置。

5.根据权利要求3所述的毫米波阵列天线，其特征在于，每个所述天线单元的所述辐射单元包括相间隔的第一子辐射单元和第二子辐射单元，所述第一耦合部设置于所述第一子辐射单元远离所述第二子辐射单元的一侧；所述第二耦合部设置于所述第二子辐射单元远离所述第一子辐射单元的一侧。

6.根据权利要求5所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述毫米波阵列天线还包括介质基板，所述介质基板包括相背离的第一表面和第二表面；所述第一子辐射单元设于所述第一表面，所述第二子辐射单元设于所述第二表面。

7.根据权利要求6所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述第一子辐射单元包括第一辐射体以及与所述第一辐射体连接的第一金属导体，所述第一耦合部位于所述第一辐射体远离所述第一金属导体的一侧；所述第一金属导体用于连接馈源。

8.根据权利要求7所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述第一辐射体包括第一辐射部以及与所述第一辐射部连接的第一连接部，所述第一耦合部位于所述第一辐射部远离所述第一连接部的一侧；所述第一连接部远离所述第一辐射部的一端连接于所述第一金属导体；所述第一连接部的宽度沿靠近所述第一辐射部的方向逐渐增大，且最大宽度与所述第一辐射部的宽度相等。

9.根据权利要求7所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述第二子辐射单元包括第二辐射体以及与所述第二辐射体连接的第二金属导体，所述第二耦合部位于所述第二辐射体远离所述第二金属导体的一侧；所述第二金属导体用于连接所述馈源。

10.根据权利要求9所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述第二辐射体包括第二辐射部以及与所述第二辐射部连接的第二连接部，所述第二耦合部位于所述第二辐射部远离所述第二连接部的一侧；所述第二连接部远离所述第二辐射部的一端连接于所述第二金属导体；所述第二连接部的宽度沿靠近所述第二辐射部的方向逐渐增大，且最大宽度与所述第二辐射部的宽度相等。

11.根据权利要求9所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述第一金属导体与所述第二金属导体在所述介质基板的表面的正投影相互平行。

12.根据权利要求9所述的毫米波阵列天线，其特征在于，每个所述天线单元还包括前置耦合体，所述前置耦合体设于所述第一表面与所述第二表面中的至少一个，所述前置耦合体被配置为与所述第一辐射体以及所述第二辐射体中的至少一个耦合。

13.根据权利要求12所述的毫米波阵列天线，其特征在于，所述前置耦合体设于所述第一表面，所述前置耦合体与所述第一辐射体之间设有第一间隙，所述前置耦合体在所述介质基板表面的正投影与所述第二辐射体在所述介质基板表面的正投影之间设有第二间隙。