[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202011382352.X | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN112349763A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 高在庆;罗银渽;赵玟俊;崔贤俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭文峰;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括:第一基板,包括具有多个像素的显示区域和在显示区域周围的外围区域;薄膜晶体管,位于第一基板上;像素电极层,位于薄膜晶体管上并且包括位于显示区域中的多于一个的像素电极;像素限定层,位于像素电极层上并且包括与电压传输电极叠置的外围部分。外围部分包括间隔件和倾斜部分,倾斜部分连接到间隔件并且位于间隔件的第一侧,倾斜部分具有凹的倾斜表面。
本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2015年12月17日的标题为“显示装置及其制造方法”的第201510954169.5号申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
诸如以液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器为例的显示装置包括场发生电极和电光活性层。例如,LCD装置包括作为电光活性层的液晶层。场发生电极连接到诸如薄膜晶体管的开关元件以接收数据信号,电光活性层将数据信号转换成光学信号以显示图像。
在显示装置之中,因为作为自发光类型的有机发光二极管(OLED)显示器不需要单独的光源,所以它在功耗方面是有优势的,并且它的响应速度、视角和对比度是卓越的。
有机发光二极管(OLED)显示器包括诸如红色像素、蓝色像素、绿色像素和白色像素的多个像素,并且可以通过组合像素表达全色。每个像素包括有机发光元件和用于驱动有机发光元件的多个薄膜晶体管。
有机发光二极管(OLED)显示器的发光元件包括像素电极、对电极和位于这两个电极之间的发光层。像素电极和对电极中的一个被称为阳极,而另一个电极被称为阴极。从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在发光层中相互结合以形成激子,激子在释放能量的同时发光。对电极贯穿多个像素来形成以传递预定的共电压。
在显示装置中,当诸如水分或氧的杂质从周围环境流到显示装置中时,发生电极的氧化和剥离等,结果,使装置的寿命缩短或发光效率会劣化,并且会发生诸如发光颜色的变形的问题。
因此,在制造显示装置时,执行密封使得内部元件与外界分离开以防止诸如水分的杂质渗透。在有机发光二极管(OLED)显示器的情况下,就这样的密封方法而言通常可以是:将包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的有机聚合物的层层压在完成的下基板上的方法、在包封基板上形成盖或帽并且用密封剂密封下基板和包封基板的盖的边缘的方法或类似方法。
在此背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,因此它可以包含不构成对于本领域的普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
一种根据实施例的显示装置包括:第一基板,包括显示区域和外围区域,显示区域包括多个像素,外围区域位于显示区域周围;薄膜晶体管,位于第一基板上;像素电极层,位于薄膜晶体管上,并且包括位于显示区域中的多个像素电极和位于外围区域中的电压传输电极;像素限定层,位于像素电极层上并且包括与电压传输电极叠置的外围部分,其中,外围部分包括间隔件和连接到间隔件并且位于间隔件的第一侧的倾斜部分,其中,倾斜部分具有凹的倾斜表面。
外围部分还可以包括连接到间隔件并且位于间隔件的与第一侧相对的第二侧的主体部分。
还可以包括面对第一基板的第二基板和形成在第一基板与第二基板之间并且位于外围区域中的密封剂,主体部分可以位于面对密封剂的一侧。
间隔件的顶表面的相对于第一基板的高度可以比主体部分和倾斜部分的顶表面的高度高。
倾斜部分的厚度可以比主体部分的厚度小。
主体部分的底表面的高度可以比倾斜部分的底表面的高度低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的