[发明专利]一种多故障监测单元的IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种多故障监测单元的IGBT驱动电路，其特征在于，包括IGBT管Q24，所述IGBT管Q24的门极连接驱动电路，发射极通过分压电阻R1接地，同时发射极连接比较器COMP4的同相输入端，比较器COMP4的反相输入端输入参考电压，比较器COMP4的输出端输出信号至控制电路，所述驱动电路包括高压保护及高边驱动限流电路、高边驱动过流保护和开路保护电路、低边驱动限流电路和欠压保护电路；

所述高压保护及高边驱动限流电路包括比较器COMP1，比较器COMP2，MOS管Q4，MOS管Q5，MOS管Q6，MOS管Q7，MOS管Q8，MOS管Q9，MOS管Q10和MOS管Q12；所述比较器COMP1的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接电源，输出端连接MOS管Q4的栅极，所述比较器COMP2的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接电源，输出端连接MOS管Q10的栅极，所述MOS管Q4的源极分别连接MOS管Q7，MOS管Q10和MOS管Q12的源极，MOS管Q4的漏极MOS管Q5的漏极以及MOS管Q5和MOS管Q6的栅极，所述MOS管Q5和MOS管Q6的源极接地，MOS管Q6的漏极连接电流源I4，所述MOS管Q7的栅极连接 MOS管Q8的栅极，MOS管Q7的漏极连接电流源I2，所述MOS管Q8和 MOS管Q9的源极连接电流源I3，MOS管Q8的漏极连接电流源I1，所述MOS管Q9和 MOS管Q10的栅极相互连接，MOS管Q9和 MOS管Q10的漏极连接电源，所述MOS管Q12的栅极连接电流源I1，MOS管Q12的漏极连接IGBT管Q24的门极；

所述高边驱动过流保护和开路保护电路包括运算放大器OPAMP1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，MOS管Q11，MOS管Q13，电流源I5和电流源I6；所述运算放大器OPAMP1的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接MOS管Q11的漏极和MOS管Q13的源极，输出端连接MOS管Q13的栅极，所述MOS管Q11的栅极和源极分别与MOS管Q12的栅极和源极相连，所述MOS管Q13的漏极连接MOS管Q1的漏极和栅极，所述MOS管Q1的源极接地，栅极连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的源极接地，漏极依次通过电流源I6和电流源I5连接至MOS管Q3的漏极，所述MOS管Q3源极接地，栅极连接MOS管Q1和MOS管Q2地栅极；

所述低边驱动限流电路包括MOS管Q13，MOS管Q14，MOS管Q15，MOS管Q16，MOS管Q17，MOS管Q18，MOS管Q19，MOS管Q20，MOS管Q21，MOS管Q22，MOS管Q27，电流源I7和电流源I8；所述MOS管Q13和MOS管Q14的栅极和漏极分别相连，并且两者的漏极同时与MOS管Q15和MOS管Q16的栅极相连，所述MOS管Q13和MOS管Q16的源极接地，MOS管Q14的源极接电源，MOS管Q15的源极连接电流源I8，所述MOS管Q15和MOS管Q16的漏极相连后连接至MOS管Q27的栅极，所述MOS管Q27的源极接地，漏极连接与MOS管Q22的漏极共同连接至IGBT管Q24的门极，所述MOS管Q22的源极连接MOS管Q17的栅极，栅极连接电源，所述MOS管Q17的源极接地，漏极连接电流源I7，同时电流源I7与MOS管Q17的漏极还分别通过反相器D1连接MOS管Q18的栅极，以及依次通过反相器D1和反相器D2连接MOS管Q19和MOS管Q21的栅极，所述MOS管Q18的源极接地，漏极连接MOS管Q27的栅极，所述MOS管Q19的源极接电源，漏极连接MOS管Q21的漏极以及MOS管Q20的栅极，所述MOS管Q20和MOS管Q21的源极接地，MOS管Q20的漏极连接MOS管Q27的栅极；

所述欠压保护电路包括比较器COMP3，所述比较器COMP3的同相输入端输入参考电压，反相输入端连接IGBT管Q24的门极，输出端输出信号至控制电路。