[发明专利]背光单元在审
申请号: | 202011382448.6 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN112531095A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 李贞勳 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/60;H01L25/075 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背光 单元 | ||
1.一种背光单元,包括:
电路基板;
至少一个发光二极管芯片,设置在电路基板上;
至少一个反射部件,设置在所述至少一个发光二极管芯片上;以及
至少一个光扩散部件,覆盖所述至少一个发光二极管芯片和所述至少一个反射部件,
其中,光扩散部件包括与设置在所述至少一个光扩散部件内部的所述至少一个发光二极管芯片和所述至少一个反射部件对应的空腔,
所述至少一个发光二极管芯片包括:
基板;
发光结构体,设置在基板的下侧处;
透明电极层,设置在发光结构体的下表面处;
第一电极垫,电连接到发光结构体的第一导电型半导体层;
第二电极垫,电连接到发光结构体的第二导电型半导体层;以及
反射层,形成为覆盖发光结构体的下侧的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,所述至少一个反射部件是分布式布拉格反射器,分布式布拉格反射器包括层叠一次或者反复层叠的SiO2、TiO2、SiN和TiN中的至少两层。
3.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,所述至少一个反射部件包括第一反射部件、第二反射部件和第三反射部件,以反射穿过所述至少一个发光二极管芯片的上表面射出的光的一部分。
4.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,所述至少一个光扩散部件由透明的材质形成。
5.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,所述至少一个光扩散部件包括在其上表面上的凸出部。
6.根据权利要求5所述的背光单元,
其中,凸出部在向上部方向上凸出。
7.根据权利要求6所述的背光单元,
其中,凸出部具有半球形结构。
8.根据权利要求6所述的背光单元,
其中,凸出部具有抛物线结构。
9.根据权利要求8所述的背光单元,
其中,在抛物线结构的剖面中,抛物线结构的高度比宽度大。
10.根据权利要求8所述的背光单元,
其中,凸出部在其射出光的位置处具有不同的曲率半径。
11.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,所述至少一个光扩散部件的光射出面具有平坦的结构。
12.根据权利要求1所述的背光单元,
其中,反射层包括由单层或多层分布式布拉格反射器构成的绝缘层。
13.根据权利要求1所述的背光单元,
所述背光单元还包括壳体,壳体在其上部处开放并且在其中容纳电路基板、所述至少一个发光二极管芯片、所述至少一个反射部件和所述至少一个光扩散部件。
14.根据权利要求1所述的背光单元,
所述背光单元还包括设置在所述至少一个光扩散部件上的波长转换片。
15.根据权利要求14所述的背光单元,
其中,波长转换片通过转换从所述至少一个光扩散部件射出的光的波长来射出白色光。
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