[发明专利]蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管及其反向漏电改善方法在审
| 申请号： | 202011383230.2 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112509922A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘江;杨明超;刘卫华 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 gan 垂直 肖特基 二极管 及其 反向 漏电 改善 方法 | ||
1.蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，采用光刻工艺在蓝宝石基GaN样品表面制备光刻胶腌膜；采用感应耦合等离子干法刻蚀工艺对光刻处理后的蓝宝石基GaN样品进行刻蚀操作，刻蚀得到n+GaN层；采用O等离子体对刻蚀处理后的蓝宝石基GaN样品进行后处理；采用电子束在后处理过的蓝宝石基GaN样品上蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层，进行退火处理，最后采用电子束对退火处理后的蓝宝石基GaN样品进行Ni/Au肖特基接触制备。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，台面刻蚀的光刻胶腌膜厚度大于等于刻蚀的台面深度。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，光刻胶腌膜的厚度为7～8μm。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，后处理的时间为20～40min，功率为80～120W，氧气流量为15～25sccm。
5.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，采用电子束E-beam进行蒸镀，控制真空度在2×10-6Torr以下，金属层厚度总计在260～350nm。
6.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，退火处理在Ar环境下，退火温度为800～850℃，时间为20～30s。
7.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，Ni/Au肖特基接触的厚度为150～240nm。
8.根据权利要求1所述的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，制备光刻胶腌膜前，先将蓝宝石基GaN样品依次用丙酮、异丙醇和去离子水进行清洗。
9.一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管，其特征在于，利用权利要求1所述的反向漏电改善方法，蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管的反向漏电整体从2～2.8×10-5A/cm2降低到1～1.5×10-6A/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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