[发明专利]临时键合方法在审
申请号: | 202011383304.2 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112509928A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 曹寒梅 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 方法 | ||
1.一种临时键合方法,其特征在于,包括:
在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层;
利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构;
在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构;以及
将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层,包括:
在所述保护层上形成粘附层;
在所述粘附层上进行负性光刻胶光刻,形成凹槽图形;
在所述凹槽图形中沉积金属凸点层;
去除所述光刻胶,并刻蚀所述粘附层,得到所述凸起结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:反复执行所述形成粘附层、所述负性光刻胶光刻和所述沉积金属凸点层的步骤,直至所述金属凸点层的厚度到达预设凸起结构厚度。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述预设凸起结构厚度大于20微米。
5.根据权利要求2至4中任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述粘附层的材料为TiW/Cu、Ti/Cu、Cr/Cu中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述凹槽结构的截面为倒梯形、三角形或直角形,所述凹槽结构的开口形状为六边形、五边形、正方形、三角形或圆形。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构,包括:
在所述载板上形成硬掩模;
对形成了所述硬掩模的所述载板进行光刻和湿法刻蚀,得到所述凹槽结构。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在在嵌套互锁后的所述衬底的背面上制备完成背部结构或背部器件之后,将所述衬底与所述载板解键合。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述将所述衬底与所述载板解键合,包括:
利用吸附方式分别吸附所述衬底与所述载板,在吸附外力作用下将所述衬底与所述载板解键合。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述吸附方式为真空吸附、磁力吸附、毛细力吸附中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造