[发明专利]用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法在审

专利信息
申请号: 202011383593.6 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN112908393A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 徐峻;Y·董 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 数据线 设置 操作 同时 进行 接种 设备 方法
【说明书】:

本申请案涉及用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法。操作存储器的方法以及被配置成执行类似方法的存储器可包含对选择性地连接到第一数据线的第一经串联连接存储器单元串中的特定存储器单元执行感测操作;将第一电压电平施加到所述第一串中的第二存储器单元的所述存取线;将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述特定存储器单元的所述存取线;与施加所述第一电压电平同时地并且与施加所述第二电压电平同时地,将第三电压电平施加到所述第一数据线;和与将所述第三电压电平施加到所述第一数据线同时地,将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到选择性地连接到第二经串联连接存储器单元串的第二数据线。

技术领域

本公开大体上涉及存储器,且特定来说,在一或多个实施例中,本公开涉及用于与数据线设置操作同时进行的源极侧接种操作的设备和方法。

背景技术

存储器(例如,存储器装置)通常在计算机或其它电子装置中提供为内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器,包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于各种电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如,浮动栅极或电荷阱)或其它物理现象(例如,相变或极化)进行编程(通常是指写入),改变存储器单元的阈值电压(Vt),所述改变确定每一存储器单元的数据状态(例如,数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可拆卸式存储器模块,且非易失性存储器的用途在持续扩大。

NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置,如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常,用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线,如字线。阵列中的列包含在一对选择栅极之间,例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间,串联连接在一起的存储器单元串(常常被称为NAND串)。每个源极选择晶体管可连接到源极,而每个漏极选择晶体管可连接到数据线,例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的多于一个选择栅极的变型是已知的。

存储器中的编程通常是通过施加由编程验证脉冲分隔开的多个编程脉冲,以将所选存储器单元群组中的每一存储器单元编程到相应预期数据状态(其可为中间或最终数据状态)来实现。通过这类方案,编程脉冲施加到所选择的存储器单元的存取线,例如通常被称为字线的那些存取线。在每一编程脉冲之后,一或多个编程验证脉冲用以验证所选择存储器单元的编程。当前编程通常在递增步长编程方案中使用多个编程脉冲,其中每一编程脉冲是将存储器单元阈值电压移动某一量的单一脉冲。

发明内容

根据本公开的一实施例,提供一种存储器,其包括:共同源极;第一数据线和第二数据线;存储器单元阵列,其包括选择性地连接于所述第一数据线与所述共同源极之间的第一存储器单元串和选择性地连接于所述第二数据线与所述共同源极之间的第二存储器单元串;多个存取线,所述多个存取线中的每一存取线连接到所述第一存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极和所述第二存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极;和控制器,其存取所述存储器单元阵列,所述控制器被配置成实施与数据线设置操作同时进行的源极侧接种操作。

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