[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件

权利要求书

1.一种生产NLDMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

首先提供一低阻P+型衬底；

在所述低阻P+型衬底两侧形成STI区域和Pwell层；

在所述Pwell层的上方生成栅极区域；

在所述STI区域之间生成漏极区域和源极区域；

在所述Pwell层的底部注入硼元素，然后将Body的电极从所述Pwell层的底部引出，并形成Body区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在低阻P+型衬底两侧形成STI区域和Pwell层的步骤包括：

在所述低阻P+型衬底两侧位置刻蚀出STI区域；

填充所述STI区域，并进行CMP磨平；

向所述低阻P+型衬底注入Pwell，经过一段热过程扩散形成Pwell层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述向低阻P+型衬底注入Pwell的步骤中注入Pwell的剂量为X/cm²，X的值为：1e12≦X≦1e14。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在Pwell层的上方生成栅极区域的步骤包括：

在所述P+型衬底上表面生长栅氧，所述栅氧的厚度大约为100A-150A；

然后在栅氧淀积多晶硅，再利用栅极光刻板刻蚀多晶硅，形成最后的栅极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在STI区域之间生成漏极区域和源极区域的步骤包括：

在所述STI区域和所述栅极之间区域的两侧注入N+，分别形成N+区域；

将所述N+区域经历一次热过程，扩散形成NDD结构；

再一次注入N+，然后经历短时间的RTA过程激活，形成有源区N+区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在STI区域和所述栅极之间注入N+，形成N+区域的步骤包括：

在STI区域和所述栅极之间选择磷元素注入N+，注入剂量为K/cm²，K的值为：1e12≦K≦1e14。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述再一次注入N+，然后经历短时间的RTA过程激活，形成有源区N+区域的步骤包括：

选择砷元素再一次注入N+，注入剂量为N/cm²，N的值为1e14≦N≦1e15；

然后经历短时间的RTA过程激活，形成有源区N+区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在Pwell层的底部注入硼元素，然后将Body的电极从所述Pwell层的底部引出，并形成Body区域的步骤包括：

在所述Pwell层的底部注入硼元素，注入剂量为M/cm²，M的值为1e13≦M≦1e15；

将Body的电极从所述Pwell层的底部引出，并形成Body区域。

9.一种NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件由权利要求1至权利要求8所述的任一一种生产方法生产得到，所述NLDMOS器件包括：

低阻P+型衬底；

栅极，分别位于所述栅极两侧的源极和漏极；

位于低阻P+型衬底底部的Body区域；

其中，所述栅极、所述源极和所述漏极从所述低阻P+型衬底的顶部引出；所述Body区域从所述低阻P+型衬底的底部引出。

10.根据权利要求9所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件电流从所述漏极流入，经过Body区域，再从源极流出。