[发明专利]石墨烯薄膜的转移方法

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括：

在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成小分子聚合物层，得到小分子聚合物层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；

在所述小分子聚合物层上形成有机辅助支撑层；

在所述有机辅助支撑层表面粘附热释放胶带层；

除去所述金属基底，得到热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体；

将所述热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；

加热去除所述热释放胶带层；及

用有机溶剂除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层。

2.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述金属基底为Cu、Ni、Pt、Ru中的一种或其合金，所述石墨烯薄膜为1～10层石墨烯薄膜。

3.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述小分子聚合物层的厚度100nm～50μm；优选，厚度为500nm～10μm。

4.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述小分子聚合物层由数均分子量小于100000的小分子聚合物制成；优选，所述小分子聚合物选自松香、聚碳酸丙烯酯中的一种或多种。

5.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述有机辅助层厚度为100nm～10μm；优选，厚度为500nm～5μm。

6.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述有机辅助层包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊二酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷中的一种或多种。

7.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，采用刻蚀法或电化学鼓泡法除去所述金属基底。

8.按照权利要求7所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，采用刻蚀法除去所述金属基底时，刻蚀液为硝酸铁溶液、过硫酸钠溶液、盐酸溶液或硝酸溶液。

9.按照权利要求7所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，采用电化学鼓泡法除去金属基底时，以铂或石墨为阳极、所述金属基底为阴极、电解液为氢氧化钠、氢氧化钾、硝酸钠中的一种或多种的溶液，所述电解液浓度0.5mol/L～1.5mol/L。

10.按照权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，采用所述有机溶剂蒸汽除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层，所述蒸汽的温度为100-170℃，熏蒸时间为5-15分钟；所述有机溶剂包括乙醇、乙醚、丙酮、甲苯中一种或多种。