[发明专利]CMOS集成器件的形成方法在审
| 申请号： | 202011384545.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112201656A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;吴佳特;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 集成 器件 形成 方法 | ||
1.一种CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底内形成P型阱区和N型阱区，所述P型阱区和所述N型阱区之间使用STI隔开；
在所述衬底的表面形成核心NMOS管的栅极和I/O NMOS管的栅极，其位于所述P型阱区上方，同时，在所述衬底的表面形成核心PMOS管的栅极和I/O PMOS管的栅极，其位于所述N型阱区上方；
形成覆盖多个栅极的氮化硅第一侧墙，所述氮化硅第一侧墙分别覆盖所述核心NMOS管的栅极、I/O NMOS管的栅极、核心PMOS管的栅极和I/O PMOS管的栅极；
通入含氮气体，以消除所述氮化硅第一侧墙的表面的硅悬空键；
向所述P型阱区分别注入离子，以形成核心NMOS管的LDD区和I/O NMOS管的LDD区；
向所述N型阱区分别注入离子，以形成核心PMOS管的LDD区和I/O PMOS管的LDD区；
以及，
形成覆盖所述氮化硅第一侧墙的第二侧墙。
2.如权利要求1所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，使用低气压化学气相沉积方法形成氮化硅第一侧墙。
3.如权利要求1所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，所述含氮气体包括NO、NH3、N2O或/和N2。
4.如权利要求3所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，所述含氮气体为NH3。
5.如权利要求4所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，通入NH3的剂量为：100sccm ~10000sccm。
6.如权利要求5所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，通入NH3的环境温度与形成氮化硅第一侧墙的温度相同。
7.如权利要求6所述的CMOS集成器件的形成方法，其特征在于，通入NH3的环境温度为：550℃~750℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
