[发明专利]成膜方法及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板进行成膜，其特征在于，

该成膜方法包括：

一边在所述第二方向上搬送所述基板一边形成薄膜的工序；

第一蚀刻工序，一边使形成有所述薄膜的所述基板在所述第二方向上搬送，一边向所述基板照射第一蚀刻用射束而进行蚀刻；以及

第二蚀刻工序，一边使被所述第一蚀刻用射束照射了的所述基板在所述第二方向上搬送，一边从与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向向所述基板照射第二蚀刻用射束而进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，搬送所述基板的方向为反向。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一蚀刻用射束的照射方向和所述第二蚀刻用射束的照射方向均与所述第一方向垂直。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在将包含由所述第一蚀刻用射束及所述第二蚀刻用射束照射的照射部和由保持被搬送的基板的保持构件保持的保持面的法线且与所述第一方向平行的面假定为交界面时，

所述第一蚀刻用射束从隔着所述交界面划分的2个区域中的一个区域照射，所述第二蚀刻用射束从所述2个区域中的另一个区域照射。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一蚀刻用射束与所述法线相交的角度中的锐角侧的角度、以及所述第二蚀刻用射束与所述法线相交的角度中的锐角侧的角度均为10°以上且75°以下。

6.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述成膜工序中的对基板照射成膜材料的方向与所述法线平行。

7.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一蚀刻用射束和所述第二蚀刻用射束是离子束或激光束。

8.一种成膜装置，对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板进行成膜，其特征在于，

该成膜装置具备：

腔室；

成膜材料照射装置，设置于所述腔室内，朝向所述基板照射成膜材料；

第一蚀刻装置，设置于所述腔室内，朝向所述基板照射第一蚀刻用射束；

第二蚀刻装置，设置于所述腔室内，在与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向上照射第二蚀刻用射束；以及

控制装置，对所述成膜材料照射装置、所述第一蚀刻装置以及所述第二蚀刻装置进行控制。

9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具备搬送所述基板的基板搬送装置，

所述控制装置还进行基于所述基板搬送装置的搬送控制。

10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，

在所述腔室内分别设置有具备所述成膜材料照射装置的区域和具备所述第一蚀刻装置以及所述第二蚀刻装置的区域，通过所述基板搬送装置将所述基板搬送到各区域。

11.根据权利要求8、9或10所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一蚀刻装置和所述第二蚀刻装置构成为共用的蚀刻装置，所述成膜装置具备可变机构，该可变机构使所述第一蚀刻用射束的照射方向或所述第二蚀刻用射束的照射方向或者所述第一蚀刻用射束的照射方向和所述第二蚀刻用射束的照射方向这两者可变。

12.根据权利要求8、9或10所述的成膜装置，其特征在于，

所述蚀刻装置分别具备照射所述第一蚀刻用射束的第一蚀刻装置和照射所述第二蚀刻用射束的第二蚀刻装置。

13.根据权利要求8、9或10所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制装置进行使所述成膜材料照射装置、第一蚀刻装置及第二蚀刻装置分别以预先设定的次数反复运转的控制。