[发明专利]一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充结构及方法在审
申请号: | 202011386328.3 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112610694A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 王答成;王梦龙;杨威;王苍龙 | 申请(专利权)人: | 彩虹显示器件股份有限公司 |
主分类号: | F16J15/14 | 分类号: | F16J15/14;F16L13/11;F16L13/02;F16L59/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陈翠兰 |
地址: | 712000 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降温 搅拌 对接 区域 密封 填充 结构 方法 | ||
本发明提供一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充结构及方法,属于TFT‑LCD基板玻璃行业。通过设计铂金本体的对接结构,改变铂金对接后的焊缝位置,使铂金本体流向方向的涂层保护面积增加至100%,有效提升本体抗氧化抗挥发能力,同时通过分段式灌浆填充的方法,增加焊缝两侧的密封保护,整体加强对接区域的密封,延长运行寿命。
技术领域
本发明属于基板玻璃制造技术领域,具体涉及一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充结构及方法。
背景技术
在基板玻璃生产中,要用到铂金通道作为玻璃的输送装置,由于降温段在实际的安装过程中主要起到连接前半段与后半段的目的,因此降温出口与搅拌入口需在现场安装定位完成后,进行最终的对接焊。
在铂金通道的安装过程中,由于各段存在着功能性差异,主要分为前半段、降温段及后半段三大部分,根据所设定的膨胀管理方式及结构原理,将降温段入口作为膨胀位移的主要移动点,由于此区域的焊接是在现场安装完成后进行,因此厂家制造过程会预留一定的焊接操作范围,除此区域外的其他本体区域已提前进行了喷涂处理。在现场降温出口和搅拌入口焊接后,会存在约200mm的铂金裸露面,在后续生产过程中,此区域铂金本体氧化和挥发较为严重,基体不断变薄,甚至在中后期会出现开裂和泄漏问题。
本发明针对此问题的焊接流程,通过结构的发明改进,消除掉裸露的本体范围,并通过针对性的填充方式,提高焊缝区的整体密封性和可靠性。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充结构及方法,本发明能够提高保温段与搅拌槽焊接区域的抗氧化性,延长本区域的使用寿命,提高了焊接区的密封性和可靠性。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充结构,包括包括首段保温砖、中段保温砖和尾段保温砖;
所述首段保温砖和中段保温砖套设在降温段外侧,所述尾段保温砖套设在搅拌槽外侧且形成灌浆口,所述首段保温砖、中段保温砖和尾段温砖依次连通并与管道之间形成密闭的填充间隙;
所述首段保温砖上设置有灌浆孔,所述首段保温砖一端设置有密封台阶;所述中段保温砖内部设置有环形凹槽;所述填充间隙内部有填充浆料。
进一步,所述首段保温砖、中段保温砖和尾段保温砖与管道外侧的距离为15~20mm。
进一步,所述密封台阶朝降温段方向设置有L型拐角;所述密封台阶的L型拐角的长度为15~20mm。
进一步,所述灌浆孔与所述降温段和搅拌槽通过焊接形成的焊缝的距离在灌浆口与焊缝之间的最大距离和最小距离之内。
进一步,所述环形凹槽的深度为10~20mm,宽度为20~100mm。
进一步,所述环形凹槽套设于焊缝外侧。
进一步,所述保温砖为氧化铝砖。
进一步,所述灌浆孔在首段保温砖的顶点上。
基于权利要求1至8任一项所述的结构,一种降温段与搅拌槽对接区域的密封填充方法,包括如下步骤,
步骤1:在降温段外侧安装首段保温砖和中段保温砖,在搅拌槽主体外侧安装尾段保温砖,首段保温砖、中段保温砖和尾段保温砖形成一个密闭的整体;
步骤2:使用填充浆料对填充间隙分别从灌浆孔和灌浆口进行灌浆填充。
进一步,所述灌浆填充方式为以环形凹槽为中心同时从灌浆孔和灌浆口进行灌浆填充,对焊缝区域形成了分别从两侧对称式的密封。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
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