[发明专利]一种带NTC热敏芯片的温度传感器及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 202011386374.3 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112611473B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 王梅凤 申请(专利权)人: 句容市双诚电子有限公司
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22;G01K1/08;H01C7/00;C22C21/08;B05D5/12;B05D1/26
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 滕敏
地址: 212400 江苏省镇江市句容*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 ntc 热敏 芯片 温度传感器 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种带NTC热敏芯片的温度传感器,包括导热基片、NTC热敏芯片、引线、玻璃绝缘封装层,其特征在于:还包括过渡金属基台、封装引渡机构,所述过渡金属基台与导热基片均含铜、铝、锡、锰元素,且铜+铝+锡元素质量百分含量占比重合率大于50%,锰元素质量百分含量占比大于5%,NTC热敏芯片通过过渡金属基台、玻璃绝缘浆料与导热基片相连;封装引渡机构采用复合金属材料、呈波纹管状,并通过玻璃绝缘浆料烧渗连接于导热基片上。

2.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述导热基片成型原料选用质量比1:0.1-0.3的铝锡铜合金锭和铝锰合金锭,铝锡铜合金锭化学成分符合GB/T 20975标准,铝锰合金锭化学成分符合GB/T 3190-2008标准。

3.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述过渡金属基台采用黄铜、青铜、钛铝合金和锌锰合金熔融铸造而成,其中铜+铝+锡元素质量百分含量占比大于70%。

4.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述封装引渡机构包括以下质量百分含量元素组分,Mg 4.5-6.3%、Si 2.6-3.8%、Cu 1.2-3.3%、Mn0.8-1.2%、Ni 0.3-0.45%、RE 0.2-0.4%、Fe≤0.06%、余量为Al和不可避免的杂质。

5.根据权利要求4所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述RE选用La、Ce、Y组合物,且La与Ce+Y的质量百分含量占比为60-75%、25-40%。

6.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述封装引渡机构内、外壁喷镀有导电浆料层,镀层厚度为0.1-0.5mm。

7.根据权利要求6所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述导电浆料采用银电子浆料、铜电子浆料的任意一种或组合物,选用组合物,两者按体积比1:1混合施用。

8.根据权利要求1-7任一项所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于,制备工艺如下:

取料熔炼铝锡铜合金锭和铝锰合金锭,制备导热基片坯料,切片加工后得导热基片;

将导热基片、过渡金属基台、NTC热敏芯片依次叠放,并利用玻璃绝缘浆料实现层间印刷烧结;

在NTC热敏芯片电极上引线,于引线外侧套接封装引渡机构,引线、封装引渡机构也由玻璃绝缘浆料上刷烧结;

采用点胶机将玻璃绝缘浆料点在NTC热敏芯片上,完全覆盖热敏电阻芯片,和引线、封装引渡机构的根部,并烧结处理,形成玻璃绝缘封装层。

9.根据权利要求8所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述过渡金属基台为金属网结构,金属网丝外径为0.02±0.002mm,导热基片、过渡金属基台、NTC热敏芯片厚度比为0.5:0.5:5。

10.根据权利要求8所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器,其特征在于:所述引线、封装引渡机构根部覆盖厚度大于0.05mm。

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