[发明专利]一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法

权利要求书

1.一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，包括以下重量百分比的各组分：碳化硼粉55-78wt％，炭黑粉5-9wt％，烧结助剂15-17wt％，陶瓷添加剂8-11wt％，并包括以下步骤：

(1)将碳化硼粉、炭黑粉、烧结助剂、陶瓷添加剂经过喷雾造粒后得到碳化硼造粒粉；

(2)将步骤(1)得到的碳化硼造粒粉、表面活性剂和高聚物粘结剂加热搅拌，混和并破碎、球磨、烘干；

(3)在真空或惰性气体保护下通过热压烧结或放电等离子烧结方法进行烧结，冷却后研磨，得到所述高熵硼陶瓷表面材料。

2.根据权利要求1所述的一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，所述烧结助剂为改性纳米炭黑、改性碳化硅亚微粉、气相白炭黑、二硼化钛微粉、钛白粉中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，所述陶瓷添加剂为聚乙二醇、氨基醇、聚乙烯醇树脂、麦芽糊精、麦芽糖稀、低粘度水溶性酚醛树脂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，步骤一包括：将上述所得碳化硼造粒粉利用离心喷雾造粒塔进行喷雾造粒，离心喷雾造粒塔的进口温度控制为180-230℃，出口温度控制为80-90℃，造粒粉粒径控制在50目-150目之间。

5.根据权利要求1所述的一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，所述热压烧结，为在真空或还原性气氛保护下，升温速率为20℃/min，热压烧结至1600℃后，施加压力，烧结压力为烧结压力为30～50MPa，升温至1800～1900℃，保温时间为15min后，以100～150℃/min的速率降温至室温，出炉。

6.根据权利要求1所述的一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，其特征在于，所述放电等离子烧结，为真空烧结，烧结压力为30～50MPa，升温速率为50～100℃/min，保温时间为10～20min，烧结温度为1800～1900℃。保温结束后，以80～120℃/min的速率降温至300～800℃后，随炉冷却至室温，得到成品。