[发明专利]存储器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：对形成于衬底上的存储器件和测试器件表面的间隔层进行干法刻蚀；对间隔层进行第一次湿法刻蚀，对存储器件和测试器件的有源区的间隔层进行去除；进行离子注入；对间隔层进行第二次湿法刻蚀，使存储器件的字线，测试器件的栅极以及有源区的衬底暴露。本申请通过对间隔层进行干法刻蚀后，依次通过第一湿法刻蚀、离子注入和第二次湿法刻蚀，去除衬底表面、存储器件字线上方和存储器件的侧墙表面的间隔层，由于对干法刻蚀后的湿法去除过程进行了分解，提高了对间隔层进行去除的一致性且能够更为彻底地去除侧墙表面的间隔层，提高了器件的制造良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种存储器件的制作方法。

背景技术

快闪存储器(nand-flash，以下简称“闪存”)是一种采用非易失性存储(non-volatile memory，NVM)技术的存储器，目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universal serial bus flash disk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。

参考图1至图2，其示出了相关技术中提供的存储器件的形成方法：

如图1所示，衬底110上形成有栅氧120，栅氧120上方形成有字线(word line，WL)131，字线131的两侧形成有浮栅(float gate，FG)132，浮栅132上方形成有控制栅(controlgate，CG)133，控制栅133和字线131之间形成有阻挡层152，控制栅133和浮栅132的外侧形成有侧墙151，上述各个结构之间填充有间隔层121。

如图2所示，进行干法刻蚀，去除字线131上方、侧墙151表面和衬底110上的间隔层121。经过干法刻蚀后在侧墙151的表面依然有部分难以被刻蚀的间隔层121，鉴于此，相关技术中在干法刻蚀后，通常会增加清洗工序，对侧墙151表面难以被刻蚀的间隔层121进行去除。

然而，通过清洗工序清除后，在侧墙的表面依然会有间隔层的残留，从而影响后续的重掺杂工序，进而导致形成的器件的电性能参数和一致性较差。

发明内容

本申请提供了一种存储器件的制作方法，可以解决相关技术中提供的存储器件的制造方法由于难以对侧壁上的间隔层进行较为刻蚀的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种存储器件的制作方法，包括：

对形成于衬底上的存储器件和测试器件表面的间隔层进行干法刻蚀；

对所述间隔层进行第一次湿法刻蚀，对所述存储器件和所述测试器件的有源区的间隔层进行去除；

进行离子注入；

对所述间隔层进行第二次湿法刻蚀，使所述存储器件的字线，所述测试器件的栅极以及所述有源区的衬底暴露。

可选的，通过所述第一次湿法刻蚀去除的间隔层的厚度为70埃至110埃。

可选的，所述对所述间隔层进行第一次湿法刻蚀，包括：

通过包含DHF的反应溶液对所述间隔层进行所述第一次湿法刻蚀。

可选的，所述对所述间隔层进行第二次湿法刻蚀，包括：

通过包含BOE的反应溶液对所述间隔层进行所述第二次湿法刻蚀。

可选的，所述存储器件包括：

第一栅氧，所述第一栅氧形成于所述衬底上；

位线，形成于所述第一栅氧上；

浮栅，形成于所述位线两侧；

控制栅，形成于所述浮栅上方；