[发明专利]钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备在审

专利信息
申请号: 202011387375.X 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN114583060A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;C23C14/24;C23C14/12
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 杨文华
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 薄膜 节奏 沉积 生产 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿薄膜节奏化沉积的生产方法,其特征在于,包括如下过程:

将预先制备有含钙钛矿前驱体BX2材料的前驱体BX2薄膜的待沉积基片放入沉积反应腔室中蒸发沉积前驱体AX材料,沉积持续一定时间后暂停,使得沉积在前驱体BX2薄膜表面的前驱体AX材料有足够的时间扩散进入前驱体BX2薄膜内从而形成钙钛矿ABX3晶体,暂停一段时间后再一次进行沉积,如此沉积与暂停过程多次交替节奏化反复,使得AX材料进入到BX2薄膜的内部与BX2材料充分反应,从而得到没有BX2材料残留或有AX材料富余的ABX3钙钛矿晶体,沉积持续时间和暂停时间预先设置,直至得到设定膜厚的钙钛矿ABX3薄膜后结束节奏化沉积过程;

其中,前驱体BX2材料为金属卤化物材料,前驱体AX材料为有机卤化物粉体材料,A为甲胺基CH3NH3+、乙胺基CH3CH2NH3+、甲脒基CH(NH2)2+、乙脒基CH3C(NH2)2+、Na+、K+、Rb+和Cs+一价阳离子中任意一种,B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋二价金属阳离子中任意一种,X为碘、溴、氯、砹中任意一种一价阴离子。

2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法,其特征在于,制备得到的钙钛矿ABX3薄膜的膜厚为100nm~1000nm。

3.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法,其特征在于,沉积和暂停过程均在真空度为1Pa~50000Pa的真空环境中进行。

4.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法,其特征在于,所述前驱体AX材料的蒸发温度为80℃~300℃。

5.一种钙钛矿薄膜节奏化沉积生产设备,其特征在于,包括沉积反应舱,在所述沉积反应舱中设置两类功能区,包括一类沉积功能区和一类反应功能区,所述沉积功能区包含一个或多个沉积段,所述沉积段包含至少一个单位沉积工位,在每个单位沉积工位中设置有蒸发源,在蒸发源中放置被蒸发的前驱体AX材料粉体;所述反应功能区包含一个或多个反应段,所述反应段包含至少一个单位反应工位,在每个单位反应工位内未设置有蒸发源,所述沉积段与反应段相互间隔设置,所述沉积反应舱通过管路与真空泵连通,在所述沉积反应舱内还设置加热装置用于给已预先制备有含钙钛矿前驱体BX2材料的前驱体BX2薄膜的待沉积基片加热;

其中,前驱体BX2材料为金属卤化物材料,前驱体AX材料粉体为有机卤化物粉体材料,A为甲胺基CH3NH3+、乙胺基CH3CH2NH3+、甲脒基CH(NH2)2+、乙脒基CH3C(NH2)2+、Na+、K+、Rb+和Cs+一价阳离子中任意一种,B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋二价金属阳离子中任意一种,X为碘、溴、氯、砹中任意一种一价阴离子。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州纤纳光电科技有限公司,未经杭州纤纳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011387375.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top