[发明专利]开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板

权利要求书

1.一种开关器件结构，其特征在于，包括：

第一栅极结构，位于基材层的一侧；

第一缓冲层，位于所述第一栅极结构和所述基材层的一侧；

第一源漏极结构，位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧；

氧化物半导体结构，也位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧，并与所述第一源漏极结构的一部分接触；

第一绝缘层，位于所述第一源漏极结构和所述氧化物半导体结构远离所述第一缓冲层的一侧；

第二栅极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧；

第二源漏极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧，且与所述第一源漏极结构的另一部分电连接。

2.根据权利要求1所述的开关器件结构，其特征在于，所述第一源漏极结构包括相分离的第一源极结构和第一漏极结构；

所述氧化物半导体结构，一端与所述第一源极结构的一部分连接，另一端与所述第一漏极结构的一部分连接；

所述第二源漏极结构包括相分离的第二源极结构和第二漏极结构；所述第二源极结构与所述第一源极结构的另一部分电连接，所述第二漏极结构与所述第一漏极结构的另一部分电连接。

3.根据权利要求2所述的开关器件结构，其特征在于，所述第一源极结构、所述第一漏极结构和至少部分所述氧化物半导体结构与所述第一缓冲层接触；

和/或，所述氧化物半导体结构的一端在所述基材层的投影与所述第一源极结构的一部分在所述基材层的投影重合，所述氧化物半导体结构的另一端在所述基材层的投影与所述第一漏极结构的一部分在所述基材层的投影重合。

4.根据权利要求3所述的开关器件结构，其特征在于，所述氧化物半导体结构的一端位于所述第一源极结构的一部分远离所述第一缓冲层的一侧；

和/或，所述氧化物半导体结构的另一端位于所述第一漏极结构的一部分远离所述第一缓冲层的一侧。

5.一种薄膜晶体管膜层，其特征在于，包括：多晶硅器件结构和如权利要求1-4中任一项所述的开关器件结构；

所述多晶硅器件结构包括在基材层的一侧依次层叠的多晶硅结构、第三绝缘层、第三栅极结构、第四绝缘层和第三源漏极结构；

所述开关器件结构中的第一栅极结构、第一源漏极结构、氧化物半导体结构和第二源漏极结构的一部分均位于所述薄膜晶体管膜层的第一区域；

所述多晶硅结构、所述第三栅极结构、所述第三源漏极结构和所述第二源漏极结构的另一部分均位于所述薄膜晶体管膜层的第二区域；

所述第三源漏极结构与所述多晶硅结构电连接；

所述第二源漏极结构的另一部分与所述第三源漏极结构电连接。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第三源漏极结构和所述开关器件结构的第一源漏极结构均位于第一缓冲层远离所述基材层的一侧，并与所述第一缓冲层接触。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第三栅极结构位于所述第三绝缘层远离所述基材层的一侧；

所述第四绝缘层位于所述第三栅极结构和所述第三绝缘层远离所述基材层的一侧；

所述第一栅极结构位于所述第四绝缘层远离所述第三绝缘层的一侧；

所述第一缓冲层位于所述第一栅极层和所述第四绝缘层远离所述第三绝缘层的一侧。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第二源漏极结构的另一部分中的至少部分用于与阳极层电连接；

和/或，所述基材层包括第二缓冲层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：依次层叠的如权利要求5-8中任一项所述的薄膜晶体管膜层、阳极层、发光层和阴极层；

所述薄膜晶体管膜层的第二源漏极结构的另一部分中的至少部分与所述阳极层电连接。