[发明专利]3D逻辑芯片电容电路、逻辑芯片及电子设备在审
| 申请号： | 202011389073.6 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112510037A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 于国庆;王嵩 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逻辑 芯片 电容 电路 电子设备 | ||
1.一种3D逻辑芯片电容电路，其特征在于，包括：逻辑芯片功能电路和存储芯片借用电容，
所述存储芯片借用电容设置在所述逻辑芯片上，用于为所述逻辑芯片功能电路的耗电元件提供电荷。
2.根据权利要求1所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，所述存储芯片借用电容为设置有高介电常数介质层的高密度电容。
3.根据权利要求1或2所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，
所述存储芯片借用电容通过3D-IC三维集成电路技术靠近所述逻辑芯片功能电路的耗电元件设置。
4.根据权利要求3所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，
所述存储芯片借用电容为一个或两个以上。
5.根据权利要求3所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，
所述逻辑芯片功能电路包括开关电容电路，所述存储芯片借用电容用于所述开关电容电路。
6.根据权利要求3所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，
所述逻辑芯片功能电路包括线性稳压电路，所述存储芯片借用电容设置在所述线性稳压电路的电压输出端。
7.根据权利要求3所述的逻辑芯片电容电路，其特征在于，
所述逻辑芯片功能电路包括电荷泵电路，所述存储芯片借用电容为所述电荷泵电路的自举电容。
8.一种逻辑芯片，其特征在于：包括如权利要求1至7中任一项所述的逻辑芯片电容电路。
9.一种电子设备，其特征在于：包括如权利要求8所述的逻辑芯片和设置有所述存储芯片借用电容的存储芯片，所述逻辑芯片与所述存储芯片相连接。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述逻辑芯片和所述存储芯片通过3D-IC三维集成电路技术相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
