[发明专利]基于角向周期匹配的同轴TE01 有效
申请号: | 202011389829.7 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112701435B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 殷勇;刘海霞;陈良萍;李海龙;王彬;袁学松;蒙林 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 周期 匹配 同轴 te base sub 01 | ||
1.一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,包括同轴输入波导、N个过渡波导结构、N个标准矩形波导,N≥2;所述同轴输入波导的一端作为输入/输出端口,另一端沿侧壁等间距设置N个过渡波导结构;所述N个过渡波导结构尺寸相同,每个过渡波导结构的另一端均连接一个标准矩形波导;所述N个标准矩形波导作为N个输出/输入端口;其特征在于,所述同轴波导内导体外壁挖空有N个尺寸相同的扇形槽,所述N个扇形槽与N个过渡波导结构一一对应,且每个扇形槽的对称面与对应过渡波导结构的对称面重合;所述同轴输入波导内导体外壁设置有N个扇形块,扇形块设置于相邻两扇形槽的中心位置。
2.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述扇形块靠近同轴输入波导输入/输出端口的一底面连接有过渡结构,用于将扇形块的底面光滑过渡到同轴输入波导内导体,所述过渡结构沿径向的截面为直角三角形。
3.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述扇形槽对应的圆心角θ1的取值范围为160°/N±2°,扇形槽的厚度为0.45λ~0.55λ,高为0.85λ~0.96λ,λ为工作波长。
4.如权利要求1或2所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述扇形块对应的圆心角θ3取值范围为80°/N±2°,扇形块的厚度为0.2λ~0.25λ,高度为0.85λ~0.96λ,λ为工作波长。
5.如权利要求4所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述过渡结构的高度为0.2λ~0.3λ。
6.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述同轴输入波导的波导轴向长度大于1λ,同轴输入波导的内半径比外半径小0.5λ~0.55λ,λ为工作波长。
7.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述过渡波导结构与同轴输入波导连接端口的弧长为0.86λ~0.96λ,相邻两过渡波导结构的轴向间距为1.19λ~1.59λ,λ为工作波长。
8.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述矩形波导长度至少为2λ。
9.如权利要求1所述的一种基于角向周期匹配的同轴TE01模功率分配/合成器,其特征在于,所述过渡波导结构采用直边梯形波导、曲边梯形波导或阶梯波导。
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