[发明专利]一种提高光罩图形线宽均匀性的方法及装置在审
| 申请号： | 202011389915.8 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112542375A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张家玮;蔡奇澄;黃钲为;李双双 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 图形 均匀 方法 装置 | ||
1.一种提高光罩图形线宽均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取目标光罩图形的线宽均匀性要求；
获取设计图形；
基于所述设计图形仿真获得光罩仿真图形；
判断所述光罩仿真图形的线宽均匀性是否满足所述线宽均匀性要求；
若否，则在所述设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，改变所述设计图形的图形密度，构成目标设计图形；
基于所述目标设计图形，在光罩衬底上形成所述目标光罩图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当所述光罩仿真图形的线宽均匀性满足所述线宽均匀性要求，则基于所述设计图形在所述光罩衬底上形成所述目标光罩图形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亚分辨率虚拟图形具有透光性。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亚分辨率虚拟图形用于增强所述设计图形周围的曝光强度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亚分辨率虚拟图形用于对曝光光线进行散射处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述目标设计图形仿真得到的光罩仿真图形的线宽均匀性满足所述线宽均匀性要求。
7.一种提高光罩图形线宽均匀性的装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取目标光罩图形的线宽均匀性要求；
第二获取模块，用于获取设计图形；
仿真模块，用于基于所述设计图形仿真获得光罩仿真图形；
判断模块，用于判断所述光罩仿真图形的线宽均匀性是否满足所述线宽均匀性要求；
调整模块，用于若否，则在所述设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，改变所述设计图形的图形密度，构成目标设计图形；
第一执行模块，用于基于所述目标设计图形，在光罩衬底上形成所述目标光罩图形。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第二执行模块，用于当所述光罩仿真图形的线宽均匀性满足所述线宽均匀性要求，则基于所述设计图形在所述光罩衬底上形成所述目标光罩图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
