[发明专利]电池片分片方法在审
申请号: | 202011391108.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112599442A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 李文;蒋伟光;林凯 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路胜元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11669 | 代理人: | 蒋爱花 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 分片 方法 | ||
1.一种电池片分片方法,其特征在于,所述电池片分片方法包括:
在第一分片线上,对电池片进行切割形成第一切割槽;
在第二分片线上,对所述电池片进行切割形成第二切割槽;其中,所述第二分片线垂直于所述第一分片线;
沿所述第一切割槽和所述第二切割槽对所述电池片进一步分裂形成四个分片。
2.根据权利要求1所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第一分片线上,对电池片进行切割形成第一切割槽,包括:
采用激光对所述电池片沿所述第一分片线进行切割,在所述电池片上形成从一端延伸至另一端的第一预设深度的所述第一切割槽。
3.根据权利要求2所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第二分片线上,对所述电池片进行切割形成第二切割槽,包括;
采用激光沿所述第二分片线间隔在所述电池片上切割,形成间隔布置的至少两个所述第二切割槽;
所述沿所述第一切割槽和所述第二切割槽对所述电池片进一步分裂形成四个分片,包括:
采用激光沿所述第二分片线对电池片进行加热,所述电池片沿所述第二切割槽裂开形成两个分片;
沿所述第一切割槽将所述电池片掰断,形成四个分片。
4.根据权利要求3所述的电池片分片方法,其特征在于,在所述电池片的相对的两端以及在两端之间的位于所述第一分片线的位置分别形成有所述第二切割槽。
5.根据权利要求2所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第二分片线上,对所述电池片进行切割形成第二切割槽,包括;
采用激光沿所述第二分片线对所述电池片进行切割,在所述电池片上形成从一端延伸至另一端的第二预设深度的所述第二切割槽,所述第二预设深度小于所述第一预设深度;
所述沿所述第一切割槽和所述第二切割槽对所述电池片进一步分裂形成四个分片,包括:
采用激光沿所述第二分片线对电池片进行加热,所述电池片沿所述第二切割槽裂开形成两个分片;
沿所述第一切割槽将所述电池片掰断,形成四个分片。
6.根据权利要求1所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第一分片线上,对电池片进行切割形成第一切割槽,包括:
采用激光沿所述第一分片线间隔在所述电池片上切割,形成间隔布置的至少两个所述第一切割槽。
7.根据权利要求6所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第二分片线上,对所述电池片进行切割形成第二切割槽,包括;
采用激光沿所述第二分片线间隔在所述电池片上切割,形成间隔布置的至少两个所述第二切割槽;
所述沿所述第一切割槽和所述第二切割槽对所述电池片进一步分裂形成四个分片,包括:
采用激光沿所述第一分片线和所述第二分片线对电池片进行加热,所述电池片沿所述第一切割槽和所述第二切割槽裂开,形成四个分片。
8.根据权利要求7所述的电池片分片方法,其特征在于,在电池片的沿所述第一分片线的相对的两端以及在两端之间的位于所述第二分片线的位置分别形成有所述第一切割槽;
在电池片的沿所述第二分片线的相对的两端以及在两端之间的位于所述第一分片线的位置分别形成有所述第二切割槽,所述第一分片线处的所述第二切割槽和所述第二分片线处的所述第一切割槽形成十字形。
9.根据权利要求1所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第一分片线上,对电池片进行切割形成第一切割槽,包括;
采用激光沿所述第一分片线对所述电池片进行切割,在所述电池片上形成从一端延伸至另一端的预设深度的所述第一切割槽。
10.根据权利要求9所述的电池片分片方法,其特征在于,所述在第二分片线上,对所述电池片进行切割形成第二切割槽,包括:
采用激光沿所述第二分片线对所述电池片进行切割,在所述电池片上形成从一端延伸至另一端的预设深度的所述第二切割槽;
所述沿所述第一切割槽和所述第二切割槽对所述电池片进一步分裂形成四个分片,包括:
采用激光沿所述第一分片线和所述第二分片线对电池片进行加热,所述电池片沿所述第一切割槽和所述第二切割槽裂开,形成四个分片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造