[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括第一末端，形成于鳍状物区上并具有第一间隔物。半导体装置还包括第二末端，其包括与第一间隔物相对的第二间隔物及硬掩模。硬掩模与第二间隔物包括不同材料。半导体装置亦包括密封层，分别形成于第一末端与第二末端的第一间隔物与第二间隔物之间。半导体装置还包括气隙，且密封层、鳍状物区、第一间隔物与第二间隔物围绕气隙。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及碳氧化硅的掩模层形成于介电插塞上的结构。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术演进，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺有利于增加产能并降低相关成本。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。

在一些实施例中，半导体装置包括第一末端，形成于鳍状物区上并包括第一间隔物。半导体装置还包括第二末端，其具有与第一间隔物相对的第二间隔物及硬掩模。硬掩模与第二间隔物包括不同材料。半导体装置亦包括密封层，分别形成于第一末端与第二末端的第一间隔物与第二间隔物之间。半导体装置还包括气隙，且密封层、鳍状物区、第一间隔物与第二间隔物围绕气隙。

在一些实施例中，半导体装置包括非有源区，其包括第一栅极，形成于鳍状物上；以及介电插塞结构。非有源区亦包括硬掩模，位于介电插塞结构上；以及第一间隔物，接触介电插塞结构的侧壁与硬掩模的侧壁。第一间隔物与硬掩模包括不同材料。半导体装置亦包括有源区，其包括第二栅极，形成于鳍状物上；以及源极/漏极接点。有源区亦包括第二间隔物，位于源极/漏极接点的侧壁上。第二间隔物与硬掩模包括不同材料。

在一些实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成栅极与源极/漏极接点于鳍状物区的上表面上；以及分别形成第一间隔物与第二间隔物于栅极与源极/漏极接点的侧壁上。方法亦包括移除源极/漏极接点；以及形成介电插塞以取代源极/漏极接点。方法还包括形成开口于第一间隔物与第二间隔物之间；以及回蚀刻介电插塞以形成回蚀刻的介电插塞。方法亦包括沉积硬掩模于回蚀刻的介电插塞上。硬掩模与第二间隔物包括不同材料。方法亦包括回蚀刻第一间隔物与第二间隔物以分别形成回蚀刻的第一间隔物与回蚀刻的第二间隔物。方法亦包括沉积密封层于开口之中与回蚀刻的第一间隔物与回蚀刻的第二间隔物之间，以形成密封层、回蚀刻的第一间隔物、回蚀刻的第二间隔物与鳍状物区所围绕的气隙。

附图说明

图1为一些实施例中，半导体结构的等角图。

图2A至图2D为一些实施例中，形成碳氧化硅硬掩模于半导体结构中的剖视图。

图3至图7为一些实施例中，部分形成的半导体装置的剖视图。

图8为一些实施例中，形成硬掩模层于半导体结构中的方法的流程图。

附图标记如下：

A-A’:切线

H,H₁:高度

T₁,T₂:距离

100:鳍状场效晶体管

102:基板

104:鳍状结构

106,240:源极/漏极区

108,208:栅极结构

110,210,212,213,215,410,413,415:间隔物

110a,110b,110c:间隔物部分