[发明专利]气体传感器及其气敏膜的制造方法

权利要求书

1.一种气体传感器，其特征在于，所述气体传感器包括：

基底；以及

设置于所述基底上的多个感测单元，每个感测单元包括：

微加热器；

设置于所述微加热器表面的活化区；以及

形成于所述活化区的气敏膜，所述气敏膜包括多个柱状结构，所述柱状结构凸设于所述活化区。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述柱状结构由金属氧化物、复合金属氧化物及混合金属氧化物中一项或者多项的组合制成。

3.一种气敏膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

将靶材装配于反应溅射设备的靶台；

将掩模版设置于基底，一并放置于所述反应溅射设备的托盘；

将所述反应溅射设备的溅射反应腔室抽至预设真空条件；

向所述溅射反应腔室通入反应气体及惰性气体，所述反应气体为氧气，所述惰性气体为氩气；

在所述靶材与所述基底之间施加预设电压，使得所述靶材发生溅射，产生金属粒子流，同时，调整所述金属粒子流相对于所述基底的入射角；以及

所述金属粒子流与所述反应气体发生氧化反应，生成金属氧化物，所述金属氧化物透过所述掩模版的通孔沉积至所述基底，形成具有柱状结构的气敏膜。

4.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，在将掩模版设置于基底，一并放置于所述反应溅射设备的托盘之前，所述方法还包括，

对所述基底进行烘烤。

5.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过调整所述基底的温度控制所述柱状结构的形貌。

6.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述通孔正对所述基底上设置的微加热器的活化区。

7.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述掩模版由铝或者氮化钛制成，所述通孔正对所述基底上设置的微加热器。

8.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述气敏膜的厚度为1um。

9.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述调整所述金属粒子流相对于所述基底的入射角，包括：

控制所述托盘旋转。

10.根据权利要求3所述的气敏膜的制造方法，其特征在于，所述调整所述金属粒子流相对于所述基底的入射角，包括：

将所述靶台相对所述托盘倾斜设置。