[发明专利]石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列

权利要求书

1.一种石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用电化学沉积法在金属基底的表面沉积石墨烯薄膜；

采用原子层沉积法在所述石墨烯薄膜的表面沉积碳纳米管膜；以及

采用去除剂去除所述金属基底，清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。

2.如权利要求1所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法在所述石墨烯薄膜的表面沉积碳纳米管膜的步骤中，包括：

将沉积有石墨烯薄膜的金属基底放入反应腔内，通入碳源前驱体，采用保护气进行第一次吹扫，通入还原性气体，并采用保护气进行第二次吹扫，之后进行加热退火处理，在所述石墨烯薄膜的表面沉积碳纳米管膜。

3.如权利要求2所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述碳源前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-15s，第一次吹扫的时间为5s-20s，和/或；

所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-15s，第二次吹扫的时间为5s-20s。

4.如权利要求2所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述碳源前驱体选用乙醇、丙醇、丁醇中的至少一种；和/或，

所述还原性气体选用氢气或一氧化碳。

5.如权利要求1至4中任一项所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，采用电化学沉积法在金属基底的表面沉积石墨烯薄膜的步骤中，包括：

以金属基底为阴极，惰性电极为阳极，氧化石墨烯分散液为电化学沉积液进行电化学沉积操作，在所述金属基底的表面沉积得到石墨烯薄膜。

6.如权利要求5所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯分散液的浓度范围为1mg/ml至5mg/ml；

和/或，所述电化学沉积操作的时间范围为1min至30min。

7.如权利要求5所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述电化学沉积法为脉冲电化学沉积法。

8.如权利要求7所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述脉冲电化学沉积法中的脉冲电流范围为0.1A至2A，脉冲宽度范围为0.01s至1s。

9.一种石墨烯碳纳米管复合膜，其特征在于，所述石墨烯碳纳米管复合膜是由权利要求1至8中任一项所述的石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法制备得到。

10.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括基板和依次制备在所述基板表面的栅金属层、栅绝缘层、非晶硅有源层、欧姆接触层、源漏金属层、钝化层及石墨烯碳纳米管复合膜层，所述石墨烯碳纳米管复合膜层至少部分贯穿所述钝化层并与所述源漏金属层连接，所述石墨烯碳纳米管复合膜层为如权利要求9所述的石墨烯碳纳米管复合膜。