[发明专利]半色调掩膜版和薄膜晶体管阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种半色调掩膜版，其特征在于，应用于薄膜晶体管阵列基板的制程中，所述半色调掩膜版上设有用于蚀刻薄膜晶体管栅极上静电环的图形，所述半色调掩膜版被划分为：

全透光区域，用于定义静电环的外结构；

至少两个遮光区域，相互间隔设置，用于定义静电环的连接端；以及

半透光区域，设于至少两个所述遮光区域之间，用于定义所述静电环的图形；

其中，所述半透光区域对制程所采用的入射光的透射率为25％-40％。

2.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半透光区域对制程所采用的入射光的透射率为30％-35％。

3.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半透光区域的正投影为封闭图形，所述封闭图形具有第一宽度和第一长度，所述第一宽度与经过入射光蚀刻后在基板上形成光阻层的凹槽的宽度相对应，所述第一长度与经过入射光蚀刻后在基板上形成光阻层的凹槽的长度相对应。

4.如权利要求3所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述第一宽度为3.0um-5.0um，所述第一长度为30um-60um。

5.如权利要求4所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述第一宽度为3.5um-4.8um，所述第一长度为35um-55um。

6.如权利要求3所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述封闭图形至少具有第一边、第二边、第三边以及第四边，所述第一边和第二边沿所述第一长度方向延伸，所述第三边和第四边沿所述第一宽度方向延伸，所述第一边和第二边向所述第三边延伸的末端向封闭图形外侧延伸并与第三边连接，且所述第一边和第二边向所述第四边延伸的末端向封闭图形外侧延伸并与第四边连接，使得所述封闭图形整体呈I形。

7.如权利要求6所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述封闭图形还具有与所述第一长度方向一致的第二长度，所述第二长度为所述第一边的末端向第三边以及第四边延伸的长度，且所述第二长度为所述第二边的末端向第三边以及第四边延伸的长度，所述第二长度为2.0um-3.5um。

8.一种半色调掩膜版，其特征在于，应用于薄膜晶体管阵列基板的制程中，所述半色调掩膜版上设有用于蚀刻薄膜晶体管的栅极上静电环的图形，所述半色调掩膜版被划分为：

全透光区域，用于定义静电环的外结构；

至少两个遮光区域，相互间隔设置，用于定义静电环的连接端；以及

半透光区域，设于至少两个所述遮光区域之间，用于定义所述静电环的图形；

其中，所述半透光区域对制程所采用的入射光的透射率为30％-35％；

所述半透光区域的正投影为封闭图形，所述封闭图形具有第一宽度和第一长度，所述第一宽度与经过入射光蚀刻后在基板上形成光阻层的凹槽的宽度相对应，所述第一长度与经过入射光蚀刻后在基板上形成光阻层的凹槽的长度相对应；

所述第一宽度为3.5um-4.8um，所述第一长度为35um-55um；

所述封闭图形至少具有第一边、第二边、第三边以及第四边，所述第一边和第二边沿所述第一长度方向延伸，所述第三边和第四边沿所述第一宽度方向延伸，所述第一边和第二边向所述第三边延伸的末端向封闭图形外侧延伸并与第三边连接，且所述第一边和第二边向所述第四边延伸的末端向封闭图形外侧延伸并与第四边连接，使得所述封闭图形整体呈I形。