[发明专利]一种高速输出的HCSL电平驱动电路在审
| 申请号： | 202011393374.6 | 申请日： | 2020-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112737561A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吕俊盛;田泽;刘颖;邵刚;蔡叶芳;李嘉 | 申请（专利权）人： | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙) 61255 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710054 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 输出 hcsl 电平 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速输出的HCSL电平驱动电路，包括PMOS开关管M1和PMOS开关管M2，所述PMOS开关管M1的源极连接电流源I1，所述PMOS开关管M2的源极连接电流源I2，所述PMOS开关管M1的漏极通过负载电阻RL1接地，所述PMOS开关管M2的漏极通过负载电阻RL2接地，其特征在于：所述PMOS开关管M1的源极和PMOS开关管M2的源极之间串联有电阻Rs和电容Cs，所述电阻Rs与电容Cs并联。
2.根据权利要求1所述的高速输出的HCSL电平驱动电路，其特征在于：所述PMOS开关管M1与负载电阻RL1之间串联有PMOS管M3，所述PMOS开关管M2与负载电阻RL2之间串联有PMOS管M4。
3.根据权利要求2所述的高速输出的HCSL电平驱动电路，其特征在于：所述PMOS管M3和PMOS管M4的栅极分别受片内电压Vctrl的控制。
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