[发明专利]一种具有去耦结构的半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供了一种具有去耦结构的半导体装置及其制造方法。本发明利用密封体实现芯片组件的梯形截面形状，其可以保证电镀的均匀性以及保证电容结构与芯片的电连接可靠性；环形围墙的斜面和芯片组件的斜面形成具有两个对电极的倾斜型电容结构，该电容结构电连接所述芯片，在保证去耦的同时，不占用芯片的正上方空间。

技术领域

本发明涉及半导体封装测试技术领域，具体涉及一种具有去耦结构的半导体装置及其制造方法。

背景技术

集成电路中由于寄生电耦的存在，会在电子产品产生噪声，进而影响电源和信号的完整性，因此需要配置去耦电容来滤除上述寄生电耦。在集成电路封装时，往往在功能芯片上方直接电连接一去耦电容，其对于芯片上的布线层是不利的，占用了芯片正上方的空间，且不能够灵活设置去耦电容的大小。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种具有去耦结构的半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：

(1)提供一临时载板，在所述临时载板上固定一芯片，所述芯片为长方体形状且包括相对的有源面和无源面以及位于所述有源面和无源面之间的垂直侧面，所述有源面包括第一焊盘、第二焊盘和多个第三焊盘，且所述有源面朝向所述临时载板；

(2)在所述临时载板上注塑形成环形围墙，所述环形围墙围成一空腔且所述环形围墙的截面呈具有第一斜面的正梯形，所述芯片位于所述空腔内；并同时形成包裹所述芯片的垂直侧面的密封体，所述密封体与所述芯片形成芯片组件，所述芯片组件的截面呈具有第二斜面的正梯形，且所述芯片组件包括与所述无源面共面的第一表面和与所述有源面共面的第二表面；

(3)在所述临时载板上沉积一金属层，所述金属层至少覆盖所述环形围墙的第一斜面和顶面以及所述芯片组件的第一表面和第二斜面；

(4)图案化所述金属层，形成在第一斜面上的第一电极、在第二斜面上的第二电极以及在所述环形围墙顶面上的互连层；

(5)形成贯穿所述环形围墙并电连接所述互连层的多个第一通孔，以及贯穿所述密封体的第二通孔，所述第二通孔的一端电连接所述第二电极；

(6)翻转所述芯片组件并使其依然设置于所述空腔内，使得所述芯片组件的所述第一表面朝向所述临时载板，并使得所述第一电极与所述第二电极间隔开地正对形成电容结构；

(7)使用导线电连接所述第一电极和所述第一焊盘，使用焊料电连接所述第二通孔的另一端和所述第二焊盘；

(8)在所述临时载板上形成塑封体，所述塑封体密封所述芯片组件和所述环形围墙。

根据本发明的实施例，还包括步骤(9)：在所述塑封体中形成多个第一连接柱和多个第二连接柱，所述多个第一连接柱电连接所述互连层，所述多个第二连接柱电连接所述多个第三焊盘。

根据本发明的实施例，还包括步骤(10)：在所述塑封体上形成电连接所述多个第一连接柱和多个第二连接柱的布线层，并在所述布线层上覆盖第一介质层。

根据本发明的实施例，还包括步骤(11)：在所述第一介质层中形成多个开口，并在所述多个开口中形成电连接所述布线层的多个端子。

根据本发明的实施例，在步骤(4)中，还包括形成在所述第一表面上的散热金属层，进一步的，还包括步骤(12)：移除所述临时载板，并在所述第一表面形成第二介质层，接着在所述第二介质层中形成多个第三连接柱和散热金属块，其中，所述多个第三连接柱电连接所述多个第一通孔，所述散热金属块直接接触所述散热金属层。

本发明还提供了一种具有去耦结构的半导体装置，其通过上述的具有去耦结构的半导体装置的制造方法形成，包括：