[发明专利]一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路

权利要求书

1.一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路，其特征在于，包括：输入端口、预放大器、漏电流补偿电路、成形器及输出端口；所述输入端口分别与预放大器、漏电流补偿电路相连接，预放大器、漏电流补偿电路并联连接后与成形器相连接，所述成形器与输出端口相连接；其中，输入端口接收来自探测器的信号，输入端口将探测器的信号送入预放大器，预放大器的输出端与成形器的输入端相连，成形器的输出端输出电压信号，所述漏电流补偿电路的输入端与输入端口和预放大器的输入端相连，漏电流补偿电路的输出端与预放大器的输出端和成形器的输入端相连；

所述预放大器用于放大探测器输出的电荷信号，所述成形器用于过滤噪声并调整波形，所述漏电流补偿电路用于补偿输入端的漏电流。

2.根据权利要求1所述的一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路，其特征在于，所述预放大器包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6，电容C_f、电阻R_f，其中PMOS管M1的栅极与BIAS1相连，PMOS管M1源极与VDD相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M2的源极相连，PMOS管M2的栅极与BIAS2相连，PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M3的漏极、电容C_f的一端以及NMOS管M5的栅极相连，NMOS管M3的栅极与BIAS3相连，NMOS管M3的源极与NMOS管M4的漏极相连，NMOS管M4的栅极分别与电容C_f的另一端、电阻R_f的一端以及IN相连，NMOS管M4的源极与GND相连，NMOS管M5的漏极与VDD相连，NMOS管M5的源极与M6的漏极相连作为预放大器的输出VOUT_A，其中BIAS1、BIAS2、BIAS3、BIAS4为相应电流源的偏置电压。

3.根据权利要求1所述的一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路，其特征在于，所述成形器包括PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、电容C_z、电容C_s，电阻R_c及电阻R_s，VOUT_A分别与电容C_z的一端、电阻R_f的另一端以及NMOS管M6的漏极相连，NMOS管M6的栅极与BIAS4相连，NMOS管M6的源极与GND相连，电容C_z的另一端电阻R_c的一端相连，PMOS管M7的栅极分别与电容C_s的一端以及电阻R_s的一端相连，PMOS管M7的源极与VDD相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极相连，PMOS管M8的栅极与BIAS5相连，PMOS管M8的漏极分别与电容C_s的另一端、电阻R_c的另一端、NMOS管M9的漏极以及NMOS管M12的栅极相连，NMOS管M9的栅极与BIAS6相连，NMOS管M9的源极与GND相连，PMOS管M11的栅极与BIAS8相连，PMOS管M11的源极与VDD相连，PMOS管M11的漏极分别与电阻R_s的另一端、NMOS管M12的漏极以及OUT相连，NMOS管M12的源极与GND相连。前述的VDD为电源线，GND为地线，BIAS5、BIAS6、BIAS7及BIAS8为偏置信号，VIN为输入信号端口，VOUT为输出信号端口；探测器的信号由VIN端口输入，经过预放大器后输出电压VOUT_A,再经过成形器后，由VOUT端口输出。