[发明专利]气密性平面合成模块、混合功率合成装置及实现方法

权利要求书

1.气密性混合功率合成装置的实现方法，其特征在于，包括步骤：

提供一E-T结（12），加工为H型，其一端壁加工出波导输入口（91），另一端壁加工出波导输出口（92），连接两端壁的中间水平部的上侧和下侧分别加工出容纳腔，各容纳腔均加工出至少一对波导分支口（121），每对波导分支口（121）的其中一个连接波导输入口（91），另一个连接波导输出口（92）；

提供至少一对气密性平面合成模块（10）：

在壳体（5）一面加工出装配腔，装配腔两端与装配腔间隔的加工出探针输入波导口（101）和探针输出波导口（102），装配腔两侧与装配腔间隔的加工出绝缘子腔，探针输入波导口（101）和探针输出波导口（102）的外端分别通过波导口盖（7）密封，绝缘子腔的外端通过绝缘子盖（8）密封；

将至少一个功率芯片（1）共晶于装配腔；将平面合成电路（2）与功率芯片（1）外围电路一起通过导电胶烧结于装配腔；

将平面合成电路（2）输入端的射频绝缘子（3）烧结于壳体（5）并穿过装配腔连接探针输入波导口（101），输出端的射频绝缘子（3）烧结于壳体（5）并穿过装配腔连接探针输出波导口（102）；

在平面合成电路（2）的两侧分别连接多个水平设置的水平馈电绝缘子（41），使水平馈电绝缘子（41）穿过装配腔至壳体（5）的绝缘子腔，在绝缘子腔安装多个垂直设置的垂直馈电绝缘子（42），使垂直馈电绝缘子（42）向上贯穿壳体（5），使水平馈电绝缘子（41）与垂直馈电绝缘子（42）连接；

在壳体（5）一面通过激光封焊设置封帽盖（6）以将装配腔密封；在封帽盖（6）上通过螺装方式安装低频板（11），并使低频板（11）与垂直馈电绝缘子（42）连接，低频板（11）用于功率芯片（1）的馈电；获得气密性平面合成模块（10）；

将气密性平面合成模块（10）向E-T结（12）装配：分别装配于上侧及下侧的容纳腔，装配后，气密性平面合成模块（10）的探针输入波导口（101）和探针输出波导口（102）分别与同一容纳腔的一对波导分支口（121）配合对接；

装配完成，实现气密性混合功率合成。

2.根据权利要求1所述的气密性混合功率合成装置的实现方法，其特征在于，波导分支口（121）与波导输入口（91）、波导输出口（92）垂直连接。

3.根据权利要求1所述的气密性混合功率合成装置的实现方法，其特征在于，气密性平面合成模块（10）装配于容纳腔后，气密性平面合成模块（10）两端面与E-T结（12）的端壁内表面配合，气密性平面合成模块（10）的两侧面与E-T结（12）的两侧面齐平，其中一个气密性平面合成模块（10）背面与E-T结（12）的端壁顶面相匹配，另一个气密性平面合成模块（10）背面与E-T结（12）的端壁底面相匹配，装配完成的气密性混合功率合成装置呈长方体结构。