[发明专利]一种深紫外LED外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011395103.4 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112331751A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种深紫外LED外延片，包括LED外延片上设置于衬底和电子阻挡层之间的缓冲层，其特征在于：所述缓冲层为多层宽禁带直接带隙半导体设置构成多层子缓冲层，不同层宽禁带直接带隙半导体的带隙能不全相同。
2.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述多层宽禁带直接带隙半导体中，任意上层宽禁带直接带隙半导体的带隙能不高于下层宽禁带直接带隙半导体的带隙能。
3.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述最底层子缓冲层生长厚度为50~1000nm，任意其他层生长厚度为100~5000nm。
4.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌或石墨烯。
5.一种深紫外LED外延片制造方法，在LED外延片的衬底或AlN层之上生长缓冲层，其特征在于：所述缓冲层采用层叠生长多层子缓冲层得到，多层子缓冲层为物质组成种类相同、金属含量不同的宽禁带直接带隙半导体。
6.如权利要求1所述的深紫外LED外延片或权利要求5所述的深紫外LED外延片制造方法，其特征在于：所述宽禁带直接带隙半导体为AlxGa1-xN。
7.如权利要求5所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述多层子缓冲层中，任意上层子缓冲层的金属含量不高于下层子缓冲层的金属含量。
8.如权利要求5所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述多层子缓冲层中，最底层生长温度低于任意其他层生长温度，且任意上层生长温度不低于相对下层生长温度；所述多层子缓冲层中，最底层生长厚度小于任意其他层生长厚度，且任意上层生长厚度不小于相对下层生长厚度。
9.如权利要求5所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述多层宽禁带直接带隙半导体中，由底向上V/III比逐层减小，且均为100~5000。
10.如权利要求5所述的深紫外LED外延片，其特征在于：所述宽禁带直接带隙半导体的生长设备为金属有机化学气相沉积设备、分子束外延设备或氢化物气相外延设备。
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