[发明专利]主机及其存储器模块和存储器控制器在审
申请号: | 202011396081.3 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN114443519A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 毕鉴忠 | 申请(专利权)人: | 毕鉴忠;山东存储之翼电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F1/3234 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 山东省烟台市经*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主机 及其 存储器 模块 控制器 | ||
本发明提供一种不具有控制器且不具有内置电源的存储器模块和其存储器控制器。存储器模块包含连接部分、第一非易失性存储器芯片以及第二非易失性存储器芯片。母板的存储器控制器通过连接部分由第一非易失性存储器芯片的本地接口存取第一非易失性存储器芯片。第二非易失性存储器芯片配置成存储第一非易失性存储器芯片的元数据的至少一个指针。第二非易失性存储器芯片的存储器类型不同于第一非易失性存储器芯片的存储器类型。存储器控制器通过连接部分存取存储在第二非易失性存储器芯片中的指针。
技术领域
本公开涉及安置有随机存取存储器模块的主机;特定来说,本公开涉及存储器模块和存储器控制器。
背景技术
当前,非易失性随机存取存储器模块通过非易失性随机存取存储器模块上的控制器管理多个非易失性存储器芯片的操作。随着存储器容量增加的趋势,在较大数目的存储器芯片的管理期间,非易失性随机存取存储器模块上的控制器引起热耗散问题。另外,基于双数据速率(double data rate;DDR)接口(例如INTEL的OPTANE DIMM接口或SNIA的NVDIMM接口),现有非易失性随机存取存储器模块连接到主机的母板。然而,由于非易失性存储器芯片的本地接口不为DDR接口,所以非易失性随机存取存储器模块上的控制器需要执行接口转换,使得通过DDR接口将非易失性存储器芯片的输出数据传输到母板,且通过DDR接口将母板的输出数据传输到非易失性存储器芯片。
发明内容
本公开提供一种存储器模块、一种存储器控制器以及一种主机以提供非易失性随机存取。
在本公开中,不具有控制器且不具有内置电源的所述存储器模块调适成插入母板的连接器中。所述存储器模块包含连接部分、至少一个第一非易失性存储器芯片以及第二非易失性存储器芯片。所述连接部分配置成耦合到所述母板的所述连接器。所述至少一个第一非易失性存储器芯片耦合到所述连接部分。所述母板的存储器控制器通过所述连接器由所述第一非易失性存储器芯片的本地接口存取所述第一非易失性存储器芯片。所述第二非易失性存储器芯片耦合到所述连接部分,且配置成存储与所述第一非易失性存储器芯片相关的元数据(meta data)的至少一个指针。所述第二非易失性存储器芯片的存储器类型不同于所述第一非易失性存储器芯片的存储器类型。所述存储器控制器通过所述连接器存取存储于所述第二非易失性存储器芯片中的所述指针。
本公开的所述存储器控制器调适成设置于母板上。所述存储器控制器包含有限状态机(finite state machine;FSM)电路、路由电路以及多个非易失性存储器控制器。所述有限状态机电路包含多个有限状态机组。所述路由电路耦合到所述有限状态机电路。所述多个非易失性存储器控制器耦合到所述路由电路。所述非易失性存储器控制器中的每一个调适成耦合到所述母板的多个连接器中的每一个的对应数据沟道以通过所述多个连接器中的一个存取存储器模块的第一非易失性存储器芯片。所述多个有限状态机组中的每一个对应于所述连接器中的一个。
本公开的主机包含至少一个存储器模块和母板。所述母板包含存储器控制器和多个连接器。所述存储器模块包含连接部分、至少一个第一非易失性存储器芯片以及第二非易失性存储器芯片。所述连接部分调适成耦合到所述母板的所述连接器中的任一个。所述第二非易失性存储器芯片的存储器类型不同于所述第一非易失性存储器芯片的存储器类型。所述存储器控制器通过所述连接器中的一个由所述第一非易失性存储器芯片的本地接口存取所述第一非易失性存储器芯片。所述第二非易失性存储器芯片配置成存储与所述第一非易失性存储器芯片相关的元数据的至少一个指针。所述存储器控制器通过所述连接器中的一个存取存储于所述第二非易失性存储器芯片中的所述指针。
基于前文,本公开的实施例中所描述的存储器模块并不具备存储器控制器或内置电源电路。因此,存储器模块提供额外空间以容纳更多存储器芯片,因而增加存储器模块的存储器容量且解决热耗散的问题。
为了使前述内容更好理解,如以下详细地描述伴有附图的若干实施例。
附图说明
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