[发明专利]具有模制金属互连基板的功率模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体模块封装包括：

一个互连基板；

一个塑料外壳，包括多个放置在互连基板外围的侧壁；以及

多个端子，沿多个侧壁放置，从互连基板开始向外延伸；

其中互连基板包括：

一个底部金属板；

一个模制复合层，至少覆盖底部金属板的中心部分；

第一多个金属焊盘，嵌入在模制复合层中；以及

第二多个金属焊盘，嵌入在模制复合层中，导电连接到多个端子上；

其中模制复合层封装第一多个金属焊盘的底部和边缘面；并且

第一多个金属焊盘的底面通过模制复合层的一个厚度，与底部金属板分开。

2.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中底部金属板延伸到互连基板的整个区域上。

3.如权利要求2所述的半导体模块封装，

其中模制复合层的底面直接连接到底部金属板的顶面上；并且其中模制复合层覆盖底部金属板的整个中心区域，一直延伸到塑料外壳的侧壁为止。

4.如权利要求3所述的半导体模块封装，

其中第一多个金属焊盘中每个金属焊盘各自的顶面暴露于模制复合层的顶面；并且

其中第一多个金属焊盘中所述的每个金属焊盘各自的顶面，与模制复合层的顶面是共面的。

5.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中底部金属板是由第一铜材料制成的。

其中模制复合层是一个单独的整体结构；

其中模制复合层是由树脂制成的；并且

其中第一多个金属焊盘和第二多个金属焊盘是由第二铜材料制成的。

6.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中模制复合层是由树脂制成的，该树脂含有从氧化硅、氧化铝和氮化铝的组分中选取的一种或多种填充材料；并且

其中所述的一种或多种填充材料的填充率范围为80％至90％。

7.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中底部金属板的厚度范围为500微米至800微米。

8.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中模制复合层的热导率范围为5瓦特/米开尔文至10瓦特/米开尔文。

9.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中第二多个金属焊盘通过多个接合引线，导电连接到多个端子上。

10.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中第二多个金属焊盘通过多个导电板，导电连接到多个端子上。

11.如权利要求1所述的半导体模块封装，其中第二多个金属焊盘中相应的一个金属焊盘、多个导电板中相应的一个导电板以及多个端子中相应的一个端子都是一体成型结构。

12.如权利要求1所述的半导体模块封装，还包括：

多个半导体芯片，多个半导体芯片中的每个芯片都通过各自的导电材料，连接到第一多个金属焊盘中各自的金属焊盘上；

多个接合引线；以及

一个模塑封装，封装多个芯片、多个接合引线、多个端子的一部分以及塑料外壳的一部分。