[发明专利]一种高效能存储装置及方法

说明书

本发明公开了一种高效能存储装置及方法，包括：一组存储在NAND串中的存储单元，每个NAND串包括一个通道和连接到所述多个字线和所述沟道的控制电路。本发明在减小第一电压信号期间，第一电压信号的相应最小电压是所选字线到多条字线中的第一编程字线的距离的增大函数；在将预充电电压施加到位线期间，将第二电压信号施加到包括相应正电压的非相邻字线；将第二电压信号从相应的正电压减小到相应的最小电压，然后将第二电压信号的电压从相应的最小电压增大到通过电压，其中第二电压信号的相应的最小电压小于相应的最小电压第一电压信号的最小电压。本发明通过所述控制使得存储效能极度增加。

技术领域

本发明涉及存储和存储装置技术领域，特别涉及一种高效能存储装置及方法。

背景技术

半导体存储器件已经变得越来越流行用于各种电子装置中。例如(CN109584934A、KR1019850006746A、KR1019850003617A)，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话，数码相机，个人数字助理，移动计算装置，非移动计算装置和其他装置中。

诸如浮栅或电荷俘获材料的电荷存储材料可以用于这种存储装置中，以存储表示数据状态的电荷。可以将电荷俘获材料垂直布置在三维(3D)堆叠存储结构中，或水平布置在二维(2D)存储结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可伸缩(BiCS)体系结构，该体系结构包含交替的导电层和介电层的堆栈。

存储装置包括例如可以在NAND串(例如，NAND链)中串联布置的存储器单元，其中在NAND串的端部处提供选择栅晶体管以将NAND串的沟道选择性地连接到存储单元，源线或位线。然而，在操作这样的存储装置中提出了各种挑战。

发明内容

本发明公开了一种高效能存储装置，包括：

一组存储在NAND串中的存储单元，每个NAND串包括一个通道；

连接到该组存储单元的多条字线，该多条字线包括在编程操作中的选择的字线，在选择的字线的源极侧上的选择的字线的相邻字线和非字线；相邻字线的源极侧上的相邻字线；和连接到所述多个字线和所述沟道的控制电路，所述控制电路被配置为：

向通道施加预充电电压；

在将预充电电压施加到沟道期间，将第一电压信号施加到包括相应的正电压的相邻字线，并且将第二电压信号施加到包括相应的正电压的非相邻字线；和

随后，在过渡期内：

将第一电压信号的电压从相应的正电压转换为通过电压，在转换期间，第一电压信号包括相应的最小电压，以及

将第二电压信号的电压从相应的正电压转换为通过电压，第二电压信号的电压包括在过渡期间的相应最小电压，该最小电压低于第一电压信号的相应最小电压，其中，控制电路被配置为以字线编程顺序对多条字线进行编程，并且在过渡周期中第一电压信号的相应最小电压是所选字线与第一字线的编程距离之间的距离的增加函数。

所述的装置，在过渡时段中，第一电压信号的电压从相应的正电压到通过电压的过渡包括将第一电压信号的电压直接从相应的正电压增加到通过电压，使得相应的最小电压为等于各自的正电压；第二电压信号的相应最小电压为正电压；所述多个字线包括在所选择的字线的源极侧上的附加的非相邻字线；和

控制电路配置为：

在将预充电电压施加到沟道的过程中，将第三电压信号施加到包括相应正电压的另外的非相邻字线；和

随后，在过渡时段中，将第三电压信号的电压从相应的正电压过渡到通过电压，第三电压信号的电压包括在过渡期间的相应的最小电压，该最小电压低于第二电压的相应最小电压。电压信号。

所述的装置，还包括：