[发明专利]一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011397209.8 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112531112A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王欣然;罗中中;施毅 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴飞 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超高 增益 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种超高增益有机薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中，所述介电层为铁电性氧化物薄膜，所述半导体沟道层为有机分子薄膜。
2.根据权利要求1所述的超高增益有机薄膜晶体管，其特征在于，所述铁电性氧化物薄膜为铪基铁电性氧化物薄膜、钙钛矿结构铁电氧化物薄膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的超高增益有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机分子薄膜为有机小分子半导体薄膜、有机聚合物半导体薄膜中的一种。
4.根据权利要求1所述的超高增益有机薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底。
5.一种超高增益有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；
(2)在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；
(3)在半导体沟道层表面制备源/漏电极。
6.根据权利要求5所述的超高增益有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述介电层还包括生长在铁电性氧化物薄膜表面、用作电容匹配的非铁电性氧化物薄膜。
7.根据权利要求6所述的超高增益有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述非铁电氧化物薄膜为氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化铪、氧化钛中的一种。
8.一种柔性超高增益有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在刚性衬底上制备柔性薄膜作为柔性衬底，接着在柔性衬底上制备金属层作为栅极；
(2)在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；
(3)在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；
(4)在半导体沟道层表面制备源/漏电极，得到具有柔性衬底的有机薄膜晶体管；
(5)将制备好的有机薄膜晶体管从刚性衬底上剥离，得到具有超高增益的柔性有机薄膜晶体管。
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