[发明专利]一种微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法有效
申请号: | 202011397316.0 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112266730B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 贾慧灵;徐阳;吴锦绣;李梅;谭心;杜鹏飞 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 王莉 |
地址: | 014010 内蒙古自治区包*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 条件下 氟化 氧化 抛光 制备 方法 | ||
1.一种微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)取Ce(NO3)3·6H2O、NH4HCO3和NH4F分别溶于去离子水中,配置成水溶液;NH4F的量为其氟元素质量占最终成品质量的5%~7%;NH4HCO3和Ce(NO3)3·6H2O的摩尔比为4.5:1以上;
(2)微波预热:取Ce(NO3)3·6H2O水溶液以微波方式预热至温度为55℃~75℃;取NH4F水溶液加入到Ce(NO3)3·6H2O溶液中搅拌均匀;
(3)沉淀反应:取NH4HCO3水溶液加入步骤(2)制得的混合溶液中;接着,在持续搅拌条件下、以微波方式恒温反应生成前驱体Ce2(CO3)3;微波恒温温度为55℃~75℃;
(4)陈化:步骤(3)停止搅拌,将制得的前驱体Ce2(CO3)3于微波恒温中继续陈化;微波恒温温度为70℃~90℃;
(5)前驱体制粉:将步骤(4)陈化后的前驱体Ce2(CO3)3进行真空抽滤得到沉淀,将沉淀恒温干燥,并研磨成纳米粉状颗粒;
(6)焙烧:将步骤(5)制得的颗粒进行焙烧,焙烧温度为850℃~950℃;焙烧结束之后随炉冷却制室温;
(7)研磨:将步骤(6)制得的成品粉末进行二次研磨,得到成品氟化二氧化铈抛光粉。
2.如权利要求1所述的微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是:NH4F可替换为HF或NaF或KF。
3.如权利要求1所述的微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是:步骤(3)中微波方式恒温反应60min~90min生成前驱体。
4.如权利要求1所述的微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是:步骤(4)中陈化时间为45min~75min。
5.如权利要求1所述的微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是:步骤(5)中干燥温度为100℃~140℃,干燥时间为20h~28h。
6.如权利要求1所述的微波条件下氟化二氧化铈抛光粉的制备方法,其特征是:步骤(6)中焙烧时间为4h~6h。
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