[发明专利]一种分布式反馈激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种分布式反馈激光器，其特征在于，包括：

InGaAlAs半导体层，所述InGaAlAs半导体层包括层叠设置的N型InGaAlAs限制层、非掺杂InGaAlAs第一波导层、非掺杂InGaAlAs有源层和非掺杂InGaAlAs第二波导层；

P型InP过渡层；

位于所述非掺杂InGaAlAs第二波导层与所述P型InP过渡层之间的第一P型插入层，所述第一P型插入层为(InGaAlAs)_1－x(InP)_x材料。

2.根据权利要求1所述的分布式反馈激光器，其特征在于，所述第一P型插入层中，x为0.05－0.95。

3.根据权利要求1所述的分布式反馈激光器，其特征在于，所述第一P型插入层的厚度为0.5nm－100nm。

4.根据权利要求1所述的分布式反馈激光器，其特征在于，所述InGaAlAs半导体层还包括位于所述非掺杂InGaAlAs第二波导层背离所述非掺杂InGaAlAs有源层的一侧表面的P型InGaAlAs限制层，所述P型InGaAlAs限制层设置于所述非掺杂InGaAlAs第二波导层与所述第一P型插入层之间，所述P型InGaAlAs限制层中掺杂有Zn离子。

5.根据权利要求1所述的分布式反馈激光器，其特征在于，还包括：

P型InGaAs欧姆接触层；

P型InP光限制层；

位于所述P型InGaAs欧姆接触层和所述P型InP光限制层之间的第二P型插入层，所述第二P型插入层的材料为(InGaAlAs)_1－y(InP)_y。

6.根据权利要求5所述的分布式反馈激光器，其特征在于，所述第二P型插入层中，y为0.05－0.95。

7.根据权利要求5所述的分布式反馈激光器，其特征在于，所述第二P型插入层的厚度为0.5nm－100nm。

8.一种分布式反馈激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成InGaAlAs半导体层，所述InGaAlAs半导体层包括层叠设置的N型InGaAlAs限制层、非掺杂InGaAlAs第一波导层、非掺杂InGaAlAs有源层和非掺杂InGaAlAs第二波导层；

形成P型InP过渡层；

在形成InGaAlAs半导体层的步骤和形成所述P型InP过渡层的步骤之间，形成第一P型插入层，所述第一P型插入层位于所述非掺杂InGaAlAs第二波导层与所述P型InP过渡层之间，所述第一P型插入层为(InGaAlAs)_1－x(InP)_x材料。

9.根据权利要求8所述的分布式反馈激光器的制备方法，其特征在于，形成所述第一P型插入层包括以下步骤：

第一步骤：通入铟源、镓源、铝源；

第二步骤：通入砷源、锌源和磷源；

第三步骤：关闭镓源、铝源、砷源、锌源和磷源；

第四步骤：关闭铟源。

10.根据权利要求9所述的分布式反馈激光器的制备方法，其特征在于，所述铟源的流量为100sccm－1000sccm；所述镓源的流量为5sccm－100sccm；所述铝源的流量为25sccm－500sccm；所述磷源的流量为100sccm－2000sccm；所述砷源的流量为1sccm－200sccm；所述锌源的流量为0.05sccm－10sccm。

11.根据权利要求10所述的分布式反馈激光器的制备方法，其特征在于，

进行所述第一步骤与进行所述第二步骤的时间间隔为1s－100s；

进行所述第三步骤与进行所述第四步骤的时间间隔为1s－100s。