[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的装置及方法

权利要求书

1.一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，其步骤为：

步骤一、制备TOPCon双面电池的PN结，并利用湿法单面刻蚀，去除电池背结；

步骤二、对获得的PN结进行氧化，使其表面获得氧化层；

步骤三、利用单面刻蚀设备单面去除正面绕镀多晶硅表面的PSG；

步骤四、利用等离子体对电池正面的多晶硅绕镀进行刻蚀；

步骤五、清洗氧化层并利用ALD技术和PECVD技术制备TOPCon双面电池；

所述的步骤二中，在对PN结进行氧化时，氧气流量为15slm/min，氧化温度为980℃，获得的氧化硅厚度根据式(1)进行计算，

T＝0.5t+22.4 (1)

其中，T为氧化硅厚度，t为氧化时间；

所述的步骤四中，选取CF₄-O₂作为等离子气体，CF₄气体流量为20-120sccm，O₂流量为10-60sccm，其中，O₂浓度占CF₄-O₂的35％，等离子气体刻蚀多晶硅和氧化硅的选择比为2；

所述的步骤二的氧化过程中，背面沉积的晶硅厚度为D，正面绕镀最边缘区域多晶硅厚度为110％D；步骤四中，等离子气体刻蚀多晶硅和氧化硅的选择比为2，则控制氧化硅临界厚度为110％D/2，并设定工艺窗口为10％，计算得出氧化硅最小厚度为60.5％D，结合公式(1)，得出氧化时间为1.21D-44.8。

2.根据权利要求1所述的一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于：所述的步骤一中，使用槽式制绒设备，对单晶硅片进行制绒处理，形成金字塔绒面；并采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结。

3.根据权利要求2所述的一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于：所述的步骤三中，单面刻蚀设备中配置10-40％体积浓度的HF。

4.根据权利要求3所述的一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于：方法所使用的装置包括腔体(1)、第一电极(2)、第二电极(4)和微波发生器(8)；所述的第一电极(2)和第二电极(4)设置在腔体(1)内部，分别靠近腔体入口(5)和腔体出口(6)；所述的微波发生器(8)电连接第一电极(2)和第二电极(4)；所述的第一电极(2)和第二电极(4)之间放置硅片(7)。

5.根据权利要求4所述的一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于：所述的硅片(7)一面紧贴靠近腔体出口(6)的电极，第一电极(2)和第二电极(4)之间产生的等离子体(3)接触硅片(7)未紧贴电极一侧。

6.根据权利要求5所述的一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于：所述的等离子体(3)由两电极电解CF4/O2气体产生；所述的CF4/O2气体由腔体入口(5)通入腔体(1)，刻蚀后产生的气体由腔体出口(6)排出。