[发明专利]电致发光显示基板、显示装置以及制作方法在审
申请号: | 202011398927.7 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112531002A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 樊刚浩;顾道义;吴洋;张小红;严志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示 显示装置 以及 制作方法 | ||
1.一种电致发光显示基板,包括:
衬底;
形成在所述衬底上的显示区、隔离区和开孔区,所述显示区和所述隔离区围绕所述开孔区,所述隔离区位于所述显示区和所述开孔区之间,所述显示区包括在衬底上依次层叠设置的驱动电路层和发光器件层,
其中,所述隔离区包括至少一个隔离柱,所述隔离柱围绕所述开孔区,所述隔离柱包括依次层叠设置的多个隔离柱层,位于中间的隔离柱层向内形成凹陷,
其特征在于,
所述隔离区还包括与所述显示区的驱动电路层同层设置的至少一个围堰,所述围堰设置于所述隔离柱的靠近所述显示区的一侧,且围绕所述开孔区。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述围堰为多个,从所述显示区到所述开孔区方向依次排列。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述围堰为两个。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述围堰包括多个围堰层。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述多个围堰层中,相对靠近衬底的围堰层在所述衬底上的正投影包含相对远离衬底的围堰层在所述衬底上的正投影。
6.根据权利要求4所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述驱动电路层包括形成在所述衬底上的有源层、覆盖所述有源层的层间介电层、形成在所述层间介电层上的第一栅极、覆盖所述第一栅极的第一栅极绝缘层、形成在所述第一栅极绝缘层上的第二栅极、覆盖所述第二栅极的第二栅极绝缘层、形成在所述第二栅极绝缘层上的第一源漏金属层、覆盖所述第一源漏金属层的第一平坦化层、形成在所述第一平坦化层上的第二源漏金属层及覆盖所述第二源漏金属层的第二平坦化层;
所述多个围堰层包括依次层叠设置的第一至第四金属层,其中,第一金属层与所述第一栅极同层设置,第二金属层与所述第二栅极同层设置,第三金属层与所述第一源漏金属层同层设置,第四金属层与所述第二源漏金属层同层设置。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述发光器件层包括形成在所述第二平坦化层上的阳极、形成在所述阳极上的发光材料层及形成在第二平坦化层上且所述围绕所述阳极和所述发光材料层的像素界定层;
所述隔离区包括与所述显示区的像素界定层同层设置的像素界定材料层,所述像素界定层材料层覆盖所述围堰和所述隔离柱。
8.根据权利要求6所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述隔离区还包括绝缘层,所述绝缘层包括分别与所述显示区的层间介电层、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层同层设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述绝缘层的位于所述围堰与所述隔离柱之间的位置形成有凹槽。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述凹槽的宽度为所述凹陷的深度的60至100倍。
10.根据权利要求8所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述凹槽包括从所述显示区到所述开孔区方向依次排列的多个子凹槽。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示基板,其特征在于,所述凹槽包括两个尺寸相同的子凹槽。
12.一种电致发光显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-11中任一项所述的电致发光显示基板。
13.一种权利要求1-11中任一项所述的电致发光显示基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
形成衬底;
在对应所述显示区处形成驱动电路层,在对应所述隔离区处形成至少一个围堰和至少一个隔离柱,其中,所述围堰和所述隔离柱分别围绕所述开孔区,所述围堰位于所述显示区与所述隔离柱之间,所述隔离柱包括依次层叠设置的多个隔离柱层,位于中间的隔离柱层向内形成凹陷;
形成发光器件层,包括在显示区的驱动电路层上形成阳极、在所述阳极上形成发光材料层及通过涂布工艺形成围绕所述阳极和所述发光材料层且覆盖的所述围堰和所述隔离柱的像素界定层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的