[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底上；

栅极结构，位于所述外延层上，包括第一介质层，浮栅，第二介质层以及控制栅，所述第一介质层位于所述外延层上；

源区和漏区，位于所述栅极结构两侧的所述外延层中，

其中，所述栅极结构还包括侧栅，位于所述浮栅的两侧，所述侧栅与所述控制栅电连接，所述侧栅与所述浮栅之间存在第三介质层。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述浮栅的横向尺寸小于所述控制栅的横向尺寸。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，所述浮栅的横向尺寸和所述第三介质层的横向尺寸之和小于等于所述控制栅的横向尺寸。

4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述侧栅的横向尺寸，浮栅的横向尺寸和所述第三介质层的横向尺寸之和小于等于所述控制栅的横向尺寸。

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，所述控制栅的横向尺寸小于所述第一介质层的横向尺寸。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，所述浮栅的横向尺寸和所述第三介质层的横向尺寸之和大于等于所述控制栅的横向尺寸。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述侧栅的横向尺寸，浮栅的横向尺寸和所述第三介质层的横向尺寸之和小于等于所述第一介质层的横向尺寸。

8.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，所属控制栅的横向尺寸与所述侧栅的横向尺寸之和小于等于第一介质层的横向尺寸。

9.根据权利要求4或8所述的场效应晶体管，其中，所述侧栅的纵向厚度大于等于所述浮栅的纵向厚度和所述第二介质层的纵向厚度之和。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，还包括：

侧墙，所述侧墙位于所述栅极结构的两侧。

11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二介质层为氧化层-氮化层-氧化层的叠层结构。

12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述侧栅为多晶硅层。

13.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述侧栅的横向尺寸为5nm-20nm。

14.一种场效应晶体管的制造方法，包括：

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层上形成栅极导体，所述栅极导体包括第一介质层，浮栅，第二介质层以及控制栅，所述第一介质层位于所述外延层上；

在所述栅极导体两侧的所述外延层中形成源区和漏区；

蚀刻所述浮栅的侧壁，使所述浮栅的横向尺寸达到预定尺寸；

在所述浮栅侧壁的表面形成第三介质层；

在所述第三介质层的表面形成侧栅，

其中，所述侧栅与所述控制栅电连接。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述浮栅的预定尺寸大于等于所述源区和所述漏区之间的横向尺寸，小于所述控制栅的横向尺寸。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在蚀刻所述浮栅的侧壁和在所述浮栅侧壁的表面形成第三介质层的步骤之间，还包括：

蚀刻所述第二介质层的侧壁。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述侧栅的横向尺寸和所述控制栅的横向尺寸之和小于等于所述第一介质层的横向尺寸。