[发明专利]一种空间位阻调控的TADF共轭高分子、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种空间位阻调控的TADF共轭高分子，具有式I所示结构：

其中，是包含空间位阻基团的电子给体片段，是包含空间位阻基团的电子受体片段，n是聚合度，n的取值范围为2～200；

所述的空间位阻基团位于电子给体D和电子受体A连接位点的邻位；

所述选自式(a-1)～式(a-27)任意一项所示结构：

其中，Z₁、Z₂、Z₃和Z₄独立的选自-R₂、-OR₂、-SR₂、-BR₂R₃、-NR₂R₃、-COR₂、-COOR₂、-COSR₂、-CONR₂R₃、-CN或-NO₂；

T，M和J独立的选自-NR₄-、-CR₄R₅-、-SiR₄R₅-、-O-或-S-；

R₁、R₂、R₃、R₄和R₅独立的选自-H、-X、C1～C30的烷基、C1～C30的杂烷基、C6～C60的芳基或C6～C60的杂芳基；

所述X独立的选自F、Cl、Br或I；所述杂烷基和杂芳基的杂原子独立的选自B、N、O、P、S或Si；所述烷基、杂烷基、芳基和杂芳基可以被取代基任意取代；

Z₁、Z₂、Z₃和Z₄不能同时为-H；

所述的为式(b-1)～式(b-12)任意一项所示结构：

其中，Z₅、Z₆、Z₇和Z₈独立的选自-R₇、-OR₇、-SR₇、-BR₇R₈、-NR₇R₈、-COR₇、-COOR₇、-COSR₇、-CONR₇R₈、-CN或-NO₂；

E和G独立的选自-CO-、-SO₂-、-BR₉-或-POR₉-；

所述R₆、R₇、R₈和R₉独立的选自-H、-X、C1～C30的烷基、C1～C30的杂烷基、C6～C60的芳基或C6～C60的杂芳基；

所述X独立的选自F、Cl、Br或I；所述杂烷基和杂芳基的杂原子独立的选自B、N、O、P、S或Si；所述烷基、杂烷基、芳基和杂芳基可以被取代基任意取代；

Z₅、Z₆、Z₇和Z₈不能同时为-H。

2.根据权利要求1所述的空间位阻调控的TADF共轭高分子，其特征在于，所述的选自式(a-1-1)、式(a-1-2)、式(a-1-3)、式(a-1-4)、式(a-2-1)、式(a-2-2)、式(a-3-2)、式(a-3-3)、式(a-3-4)、式(a-7-1)、式(a-7-2)、式(a-16-1)、式(a-18-1)或式(a-26-1)所示结构：

3.根据权利要求1所述的空间位阻调控的TADF共轭高分子，其特征在于，所述的选自式(b-1-1)、式(b-1-2)、式(b-2-1)、式(b-2-2)、式(b-3-2)、式(b-4-1)、式(b-4-2)、式(b-6-2)、式(b-6-3)、式(b-6-5)、式(b-6-6)、式(b-6-7)、式(b-6-8)、式(b-10-2)所示结构：