[发明专利]微发光二极管的转移方法及转移设备

权利要求书

1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：

S1、提供包括多个第一微发光二极管的第一基板，获取多个第一微发光二极管中异常微发光二极管的位置信息；

S2、提供包括多个第二微发光二极管的第二基板，适配所述位置信息至所述第二基板上，标记与所述位置信息对应的第二微发光二极管为目标微发光二极管；

S3、提供第三基板，所述第三基板上设有多个接收端子，压合所述第二基板至所述第三基板上，以使所述多个第二微发光二极管和所述目标微发光二极管分别与所述多个接收端子对应；

S4、转移所述第二基板上的所述目标微发光二极管至对应的接收端子上，移除所述第二基板；

S5、剥离所述第一基板上的异常微发光二极管并形成空缺，压合所述第一基板至所述第三基板上，所述空缺与所述目标微发光二极管相互对应；以及

S6、转移所述多个第一微发光二极管至所述第三基板上对应的接收端子上。

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一微发光二极管和所述第二微发光二极管为相同颜色的微发光二极管。

3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述S2中，适配所述位置信息至所述第二基板上，标记与所述位置信息对应的第二微发光二极管为目标微发光二极管还包括：

S21、判断所述第一基板的尺寸和所述第二基板的尺寸是否相同；若是，则进入S22；若否，则进入S23；

S22、依据所述位置信息，标记所述第二基板上与所述位置信息对应的第二微 发光二极管为所述目标微发光二极管；

S23、控制所述第一基板的中心与所述第二基板的中心对齐，以使所述第一基板上所述异常微发光二极管的投影覆盖在所述第二基板上，以及标记与所述异常微发光二极管的投影覆盖的第二微发光二极管为所述目标微发光二极管。

4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述S21还包括：

获取所述第二基板上多个第二微发光二极管中的异常微发光二极管的位置信息，判断所述多个第二微发光二极管中的异常微发光二极管的位置信息是否与所述多个第一微发光二极管中的异常微发光二极管的位置信息相互重合，若否，则依据多个第一微发光二极管中的异常微发光二极管的位置信息，标记所述第二基板上相对应的第二微发光二极管为所述目标微发光二极管。

5.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，还包括，

S7、判断所述第三基板的尺寸是否大于第一基板的尺寸，若是，则进入S8；

S8、重复上述S1至S6，继续转移多个所述第一微发光二极管和多个目标微发光二极管至所述第三基板对应的接收端子上，形成显示面板。

6.根据权利要求5所述的转移方法，其特征在于，所述第三基板的尺寸与所述第一基板的尺寸之间为倍数关系。

7.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，

所述S4中还包括：照射激光至所述目标微发光二极管上，使得所述目标微发光二极管与所述第二基板剥离，所述目标微发光二极管转移至所述第三基板对应的接收端子上；

所述S6中还包括：照射激光至所述多个第一微发光二极管上，使得所述多个第一微发光二极管与所述第一基板剥离，所述多个第一微发光二极管转移至所述第三基板对应的接收端子上。

8.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板分别为透明基板。

9.一种微发光二极管的转移设备，其特征在于，所述转移设备包括：

处理单元，所述处理单元获取第一基板上多个第一微发光二极管中异常微发光二极管的位置信息，以及，将所述位置信息适配到第二基板上，标记所述第二基板上与所述位置信息对应的第二微发光二极管为目标微发光二极管；

邦定单元，所述邦定单元与所述处理单元连接，所述邦定单元用于分别压合所述第二基板和所述第一基板至第三基板上；以及

激光剥离单元，所述激光剥离单元与所述处理单元连接，所述激光剥离单元用于剥离所述目标微发光二极管、所述异常微发光二极管以及所述多个第一微发光二极管；

其中，所述多个第一微发光二极管移除所述异常微发光二极管后的其他第一微发光二极管和所述目标微发光二极管分别转移至所述第三基板上对应的接收端子上。