[发明专利]半导体装置和设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一半导体层；

与所述第一半导体层重叠的第二半导体层；和

布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的布线结构，

其中，所述第二半导体层设置有p型金属绝缘体半导体p型MIS晶体管，

其中，所述第一半导体层的晶体结构在沿着所述第一半导体层的主表面的方向上具有第一晶体取向和第二晶体取向，并且所述第一半导体层在沿着所述第一晶体取向的方向上的杨氏模量高于所述第一半导体层在沿着所述第二晶体取向的方向上的杨氏模量，

其中，由所述第一晶体取向与所述p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度，以及

其中，由所述第二晶体取向与所述p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度为0度以上且30度以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第二半导体层的晶体结构在沿着所述第二半导体层的主表面的方向上具有第三晶体取向和第四晶体取向，并且所述第二半导体层在沿着所述第三晶体取向的方向上的杨氏模量高于所述第二半导体层在沿着所述第四晶体取向的方向上的杨氏模量，以及

其中，由所述第一晶体取向与所述第三晶体取向形成的角度为0度以上且30度以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体层的晶体结构具有第一解理取向和与所述第一解理取向相交的第二解理取向，并且由所述第一解理取向和所述第二解理取向形成的角度为60度以上且90度以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第二半导体层的主要成分是硅，以及

其中，所述第二半导体层的前表面包括硅化钴区域和/或硅化镍区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第二半导体层的主要成分是硅，以及

其中，所述第二半导体层包括含有锗和/或铟的区域。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，

其中，所述第二半导体层包括n型MIS晶体管，以及

其中，所述p型MIS晶体管的沟道宽度大于所述n型MIS晶体管的沟道宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第二半导体层设置有第一p型MIS晶体管和第二p型MIS晶体管，

其中，由所述第一p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向与所述第二p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度为60度以上且90度以下，

其中，由所述第一半导体层的所述第一晶体取向与所述第一p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度，以及

其中，由所述第一半导体层的所述第一晶体取向与所述第二p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述布线结构包括在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一布线结构以及在所述第一布线结构和所述第二半导体层之间的第二布线结构，

其中，所述第一布线结构包括绝缘体构件和在所述第一布线结构的绝缘体构件的凹陷中的金属焊盘，

其中，所述第二布线结构包括绝缘体构件和在所述第二布线结构的绝缘体构件的凹陷中的金属焊盘，以及

其中，所述第一布线结构的绝缘体构件与所述第二布线结构的绝缘体构件共价键合，并且所述第一布线结构的金属焊盘与所述第二布线结构的金属焊盘金属键合。