[发明专利]一种自供电物联网芯片过压保护电路在审
| 申请号： | 202011400773.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112366672A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梅年松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院;上海天俣可信物联网科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 供电 联网 芯片 保护 电路 | ||
1.一种自供电物联网芯片过压保护电路，包括：
开关电路偏置电压产生电路，连接能量采集电路及开关电路，用于产生开关电路导通所需的偏置控制电压；
开关电路，连接能量采集电路及物联网芯片系统，用于在所述开关电路偏置电压产生电路产生的偏置控制电压的控制下在所述能量采集电路的输出与物联网芯片系统之间形成具有可变等效电阻的导通通路以形成具有可变的电压降；
泄流电路，连接开关电路的输出端以及所述开关电路偏置电压产生电路，以在输出电压较高时形成泄流支路并成正比地影响所述开关电路偏置电压产生电路输出的所述偏置控制电压。
2.如权利要求1一种自供电物联网芯片过压保护电路，其特征在于：所述开关电路偏置电压产生电路包括第一PMOS偏置管和负载电阻，所述第一PMOS偏置管的源极连接所述能量采集电路的输出端，漏极接所述开关电路，并通过所述负载电阻接地，栅极连接所述泄流电路。
3.如权利要求2一种自供电物联网芯片过压保护电路，其特征在于：所述开关电路包括一第二PMOS开关管，所述第二PMOS开关管源极接所述能量采集电路的输出端，漏极接所述泄流电路及所述物联网芯片系统，栅极接所述所述第一PMOS偏置管的漏极。
4.如权利要求3一种自供电物联网芯片过压保护电路，其特征在于：所述泄流电路包括若干源漏串接的PMOS泄流管，并接在所述第二PMOS开关管的漏极与地之间，且各PMOS泄流管栅漏短接。
5.如权利要求4一种自供电物联网芯片过压保护电路，其特征在于：与所述第二PMOS开关管漏极连接的PMOS泄流管的栅极连接所述第一PMOS偏置管栅极，以与所述第一PMOS偏置管形成镜像关系。
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